據(jù)無錫高新區(qū)在線消息，2024年江蘇省重大項目清單新鮮出爐。無錫高新區(qū)共有華虹集成電路二期一階段、阿特拉斯•科普柯研發(fā)制造中國總部項目等9個產(chǎn)業(yè)項目列入“實施項目”清單，同期增長3個。總投資324.5億元，同比增長44.3%，年度計劃投資86億元，同比增長72%。

其中，集成電路產(chǎn)業(yè)代表性項目包括無錫華虹集成電路二期一階段、無錫華潤迪思高端掩模項目、無錫新潔能總部及產(chǎn)業(yè)化基地、無錫偉測半導(dǎo)體晶圓測試項目等。智能裝備產(chǎn)業(yè)代表性項目包括無錫先導(dǎo)集成電路工藝設(shè)備項目等。

此外，2023年，無錫高新區(qū)6個省重大項目完成投資超100億元，滾動實施61個市重大產(chǎn)業(yè)項目完成投資超350億元。全年列市五百工程新開工項目25個，竣工投產(chǎn)項目17個。

無錫華虹集成電路二期一階段

華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司是華虹集團在上海以外的第一個集成電路研發(fā)制造基地，是國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金在無錫投資的第一個超大規(guī)模集成電路制造項目。

2018年3月2日，華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地項目（一期）開工，2019年9月17日，華虹無錫項目（一期）12英寸生產(chǎn)線建成投片，一期項目建成一條月產(chǎn)能為4萬片的12英寸特色集成電路生產(chǎn)線。2021年5月，華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地一期項目全面達(dá)產(chǎn)、提前實現(xiàn)月投片4萬片目標(biāo)。

2023年6月30日，華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地二期項目開工。二期項目由華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司承擔(dān)，用地373.5畝，總建筑面積約51萬平方米，總投資67億美元，建設(shè)一條工藝等級65/55-40nm、月產(chǎn)能達(dá)到8.3萬片的12英寸特色工藝集成電路芯片生產(chǎn)線。

二期項目聚焦車規(guī)級芯片，對非易失性存儲器、電源管理、功率器件等工藝領(lǐng)域進(jìn)行深入布局和研發(fā)，持續(xù)提升在新能源汽車.物聯(lián)網(wǎng)、新能源、智能終端等領(lǐng)域的應(yīng)用。

無錫華潤迪思高端掩模項目

華潤微電子有限公司是國內(nèi)最早從事半導(dǎo)體光掩模制造的專業(yè)企業(yè)，擁有國內(nèi)領(lǐng)先的光掩模制造設(shè)備及工藝技術(shù)。企業(yè)先后獲得國家高新技術(shù)企業(yè)、國家技術(shù)發(fā)明獎、國家專精特新“小巨人”企業(yè)、無錫市瞪羚遴選企業(yè)等榮譽。

資料顯示，無錫迪思微電子有限公司（以下簡稱“無錫迪思”）成立于2012年，注冊資本13676.9231萬人民幣，總部位于江蘇無錫，是國內(nèi)最早從事光掩模制造的專業(yè)企業(yè)。迪思微電子的前身是原中國華晶電子集團公司的制版組與中央研究所三室合并組建的掩模制造中心，最早成立于1989年。2002年華潤收購華晶集團后，成為華潤微電子有限公司旗下獨立開展光掩模代工業(yè)務(wù)的全資子公司。

此前據(jù)國家集成電路設(shè)計無錫產(chǎn)業(yè)化基地消息，無錫迪完成B輪5.2億股權(quán)融資，由中金資本、中信證券投資、珩創(chuàng)投資等機構(gòu)共同參與。本輪融資資金將用于無錫迪思高端掩模項目的28nm產(chǎn)能建設(shè)。

無錫迪思高端掩模項目于2022年底動工，預(yù)計2023年底設(shè)備Move in，產(chǎn)線將于2024年上半年完成安裝調(diào)試并通線。

無錫高新區(qū)在線消息稱，該項目不新增用地，擬在原有地塊內(nèi)新建廠房，總建筑面積32279平方米，引進(jìn)設(shè)備新建產(chǎn)線。達(dá)產(chǎn)后，企業(yè)將具備90~28nm掩模制造能力，待高端掩模項目全部達(dá)產(chǎn)后，光掩模版月產(chǎn)能將達(dá)5000片，年產(chǎn)能60000片。

無錫新潔能總部及產(chǎn)業(yè)化基地

無錫新潔能股份有限公司（以下簡稱“新潔能”）是國家高新技術(shù)企業(yè)，擁有江蘇省功率器件工程研究中心，并獲得了國家級專精特新“小巨人”企業(yè)稱號，連續(xù)七年被中國半導(dǎo)體協(xié)會評為中國半導(dǎo)體功率器件十強企業(yè)。

資料顯示，新潔能成立于2013年1月，專注于MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體芯片和功率器件的研發(fā)、設(shè)計及銷售，產(chǎn)品優(yōu)質(zhì)且系列齊全，廣泛應(yīng)用于消費電子、汽車電子、工業(yè)電子、新能源汽車及充電樁、智能裝備制造、軌道交通、光伏新能源、5G等領(lǐng)域。

目前，新潔能擁有新潔能香港、電基集成、金蘭功率半導(dǎo)體、國硅集成電路四家子公司以及深圳分公司、寧波分公司。

無錫新潔能總部及產(chǎn)業(yè)化基地項目新增用地約47.5畝，建筑面積約7萬平方米，用于第三代半導(dǎo)體SiC/GaN功率器件及封測、功率驅(qū)動IC及智能功率模塊（IPM）、SIC/IGBT/MOSFET等功率集成模塊（含車規(guī)級）的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。

無錫偉測半導(dǎo)體晶圓測試項目

無錫偉測半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱“無錫偉測”）是上海偉測半導(dǎo)體科技股份有限公司（以下簡稱“偉測半導(dǎo)體”）的全資子公司，上海偉測是國內(nèi)第一大晶圓及芯片測試企業(yè)，先后獲得上海市高新技術(shù)企業(yè)、上海市企業(yè)技術(shù)中心、國家專精特新“小巨人”企業(yè)等殊榮。

無錫偉測半導(dǎo)體晶圓測試項目新增用地38.3畝，總建筑面積約56204.29平方米，依托自身強大的IT能力及自主研發(fā)的測試程序，為集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域客戶提供專業(yè)的、定制化的晶圓及芯片成品測試服務(wù)。

據(jù)偉測半導(dǎo)體去年11月公告，偉測半導(dǎo)體無錫集成電路測試基地項目擬建設(shè)集成電路測試線，實施主體為無錫偉測，建設(shè)周期為60個月，擬選址于江蘇省無錫市新吳區(qū)。

公告顯示，無錫偉測“偉測半導(dǎo)體無錫集成電路測試基地項目”的投資額為9.8億元，偉測半導(dǎo)體擬使用部分超募資金1.5億元向無錫偉測增資以實施該項目，剩余資金由無錫偉測通過使用自有資金或自籌資金的方式進(jìn)行解決。

無錫先導(dǎo)集成電路工藝設(shè)備項目

先導(dǎo)集團立足無錫，致力于先進(jìn)制造全領(lǐng)域的高端裝備，其投資布局的企業(yè)形成了以集成電路特色裝備、高端材料、核心零部件為主，聚焦先進(jìn)工藝制程的產(chǎn)業(yè)集群。

無錫先導(dǎo)集成電路工藝設(shè)備項目用地面積約132.7畝，總建筑面積約16萬平方米，用以承接300mm高端半導(dǎo)體研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，以及MOCVD集成電路外延生長設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目，填補該領(lǐng)域無國產(chǎn)設(shè)備的空白。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)