韓國三星日前與荷蘭半導體設備商ASML簽署了價值1萬億韓元（約7.55億美元）的協議，兩家公司將在韓國投資建造半導體芯片研究工廠，并將在該研究工廠開發(fā)新一代EUV半導體制造技術。三星電子副董事長兼設備解決方案部門負責人Kyung Kye-hyun強調，兩家公司的最新協議將幫助其獲得下一代High-NA EUV光刻機。

根據外媒sammobile的報道，Kyung表示三星已經獲得High-NA EUV技術的優(yōu)先權。而且，這次的協議為三星創(chuàng)造了一個機會，可以長期優(yōu)化 High-NA 半導體曝光技術在 DRAM 和邏輯芯片在生產中的使用。

報道強調，三星與ASML的協議，是在韓國京畿道即將建成的芯片研究工廠中，兩家公司的工程師將共同努力改進EUV制程技術的半導體生產。另外，三星與ASML的交易重點不是將2納米芯片的制造設備引進韓國，重點是與這家荷蘭公司建立合作伙伴關系，以便它可以更好的利用下一代光刻機設備。

ASML將在未來幾個月內推出能制造2納米節(jié)點芯片的設備。其最新的High-NA EUV光刻機的孔徑將從0.33，提高到0.55，這將使芯片制造商能夠使用超精細圖案化技術來制造2納米節(jié)點芯片。因此，ASML計劃2024年生產10臺High-NA EUV，據悉英特爾已采購了其中6臺。未來幾年，ASML計劃將此類半導體芯片設備的產能提高到每年20套。

另外，從ASML High-NA EUV光刻機后，三星計劃在2025年底開始生產2納米節(jié)點制程芯片。然而，與任何技術和計劃一樣，此類芯片的推出也可能會延遲，具體狀況將取決于市場狀況和良率。

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