近期，我國多地區(qū)半導體項目先后迎來新進展，包括珠海香洲區(qū)中晟泰科半導體產業(yè)園項目，復旦大學寧波研究院重大產業(yè)化項目、中建三局中標深圳某半導體電子廠房項目、穆棱市北一半導體二期投產等。

珠海多個地區(qū)半導體項目集中開工

2023年一季度，珠海多個地區(qū)半導體項目迎來集中開工。

香洲區(qū)中晟泰科半導體產業(yè)園項目，將圍繞第三代半導體產品建設光芯片設計制造基地項目，達產后年產出50億元。

金灣區(qū)銳駿華南半導體項目，總投資12億元，擬建設LED驅動芯片、功率半導體產品研發(fā)生產基地。

斗門區(qū)匯創(chuàng)達新一代電子信息創(chuàng)新基地項目，在富山工業(yè)園建設“柔性線路板”“連接器”等產業(yè)創(chuàng)新項目，達產后滿負荷運轉年產值將達15億元以上，可吸引帶動上游原材料供應商和下游企業(yè)集聚，形成相關產業(yè)集群。

高新區(qū)邁為泛半導體設備及半導體材料項目，計劃建設泛半導體激光設備研產基地，主要包括面向半導體、微型顯示、PCB 的設備研發(fā)及制造。

昆山同興達首臺SMEE光刻機順利搬入

據(jù)同興達官方消息，2月1日，昆山同興達首臺SMEE光刻機搬入。

據(jù)悉，此次搬入儀式的SMEE光刻機是昆山首臺金凸塊封測光刻機，具有較強延展性，可實現(xiàn)與先進制程芯片相似功能。設備采用先進封測裝技術，應用于集成電路封裝技術及光電組件對外連接，屬于集成電路產業(yè)重要組成部分。

昆山同興達總經理胡明翊表示，將以此“開工進機”為契機，加快完成設備調試、樣品試制和批量投產，全力打造金凸塊IC先進封裝測試制造平臺，為千燈經濟社會高質量發(fā)展做出貢獻。

總投資35億！奧松半導體項目落戶重慶

近日，奧松半導體8英寸MEMS特色芯片IDM產業(yè)基地項目落戶西部（重慶）科學城。

西部重慶科學城消息顯示，該項目總投資35億元，擬用地200畝，包含8英寸CMOS+MEMS特色傳感器芯片量產線、8英寸MEMS特色晶圓快速研發(fā)線、西部成渝雙城經濟圈智能傳感器創(chuàng)新研發(fā)中心、車規(guī)級傳感器可靠性檢測中心、產學研科研中心及奧松半導體研發(fā)辦公大樓等建設項目，技術能力覆蓋CMOS+MEMS特色工藝，可實現(xiàn)各類MEMS傳感器產品的研發(fā)和批量生產。

該項目可全面開展表面硅、體硅以及新工藝、新器件、新系統(tǒng)的研發(fā)和量產；具有MEMS壓阻、壓電、硅光、磁材料、MOX、微流控等相關工藝的研發(fā)和量產設備，大幅提升產品研發(fā)的成功率，實現(xiàn)產品從研發(fā)到量產的無縫銜接。

成都芯未半導體10億功率半導體項目廠房已封頂

近期，成都高新發(fā)展股份有限公司（以下簡稱“高新發(fā)展”）在投資者互動平臺表示，截至目前，芯未半導體建設各項工作進展順利，廠房建設現(xiàn)已封頂，爭取早日實現(xiàn)投產。

公開消息顯示，2022年8月，成都高新西區(qū)高投芯未高端功率半導體器件和組件研發(fā)及產業(yè)化項目開工。該項目總投資約10億元，運營方為成都高投芯未半導體有限公司，主要從事IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）等功率半導體芯片及產品的設計、開發(fā)、銷售。項目建成投產后將為包括森未科技在內的功率半導體設計企業(yè)提供IGBT特色授權委托加工服務，包括IGBT芯片、模組及方案組件產品等。

清純半導體研發(fā)基地啟用

2月3日，復旦大學寧波研究院重大產業(yè)化項目——清純半導體研發(fā)基地舉行啟用儀式。

清純半導體消息顯示，清純半導體研發(fā)基地總面積4600平米，建設四大實驗平臺：一樓建設器件性能測試平臺、晶圓測試及老化平臺；三樓建設可靠性及應用平臺；四樓建設器件測試及老化平臺。實驗室總規(guī)劃面積超2500平米，配備了國際領先的功率器件參數(shù)測試及可靠性設備，平臺總投入近億元，具備支撐月產近千萬顆碳化硅器件的測試及篩選能力。

清純半導體成立于2021年3月，是一家碳化硅功率器件設計和供應商。寧波前灣新區(qū)消息顯示，清純半導體已正式量產首款國產15V驅動SiC MOSFET，推出國內最低導通電阻的1200V/14mΩ SiC MOSFET，同時獲得AEC-Q101車規(guī)認證并通過HV-H3TRB加嚴可靠性考核。

超73億安捷利美維項目：力爭2月底主體建筑封頂

近日，安捷利美維高端封裝基板及高端HDI生產能力建設項目傳來新進展。

今日海滄消息顯示，目前安捷利美維項目建設短期目標是力爭在2月底實現(xiàn)項目主體建筑封頂。此外，預計到2023年底項目一期將完成生產設備進廠安裝，一期預計2024年完成新產品導入和正式投產。

公開消息顯示，該項目于2022年9月在廈門海滄區(qū)開工，總投資73.8億元。

賽揚電子車規(guī)級集成電路封測項目開工

2月5日，由中億豐承建的浙江賽揚電子車規(guī)級集成電路封測項目正式開工。

據(jù)官方介紹，浙江賽揚電子車規(guī)級集成電路封裝測試項目總投資5億元，預計2024年4月竣工投產，達產后年產值約5億元。該項目在產業(yè)園的深耕發(fā)展，將對產業(yè)園“智能傳感谷”和傳感產業(yè)生態(tài)鏈的打造產生積極影響。

35億元，中建三局中標深圳某半導體電子廠房項目

近日，中建三局消息稱，其中標深圳某半導體項目，中標額約35億元。

據(jù)悉，該項目位于深圳市寶安區(qū)，建成后將補齊深圳地區(qū)芯片制造短板，加快實現(xiàn)半導體關鍵領域和技術的自主創(chuàng)新突破和商業(yè)化運作，增強廣東集成電路產業(yè)的核心競爭力。

近年來，中建三局在全國范圍承攬電子廠房類項目80余個，業(yè)務覆蓋全國20余個城市，承建國內半數(shù)以上大型電子廠房項目，累計建造面積近3500萬平方米，形成面板廠房、半導體、芯片等多個高科技專業(yè)領域電子廠房產品線。

穆棱市北一半導體二期投產

據(jù)新華網(wǎng)黑龍江頻道消息，黑龍江省重點項目之一的穆棱市北一半導體科技有限公司二期工程在春節(jié)伊始投入運營。

據(jù)介紹，北一半導體項目總投資4.3億元，分兩期建設。一期項目總投資8000萬元，建設潔凈車間1800平方米，2018年9月正式投產，主要產品為34mm、48mm、62mmIGBT模塊，廣泛應用于工業(yè)控制領域；二期項目為黑龍江省重點項目，總投資3.5億元，建設潔凈車間8000平方米，今年1月下旬正式投產。新上5條現(xiàn)代化生產線，讓企業(yè)的生產規(guī)模得到大幅度提高。

據(jù)了解，北一半導體打造高端數(shù)字化展廳，引進國內外先進制造設備生產IGBT、PIM、IPM、HPD等模塊及IGBT后端芯片，計劃2023年6月實現(xiàn)量產。目前，企業(yè)與國內外18家客商簽訂了供貨合同，生產訂單已經排到了2024年5月。

“激光晶體材料”、“泛半導體腔體”等3項目簽約上海

2月3日，長三角國家技術創(chuàng)新中心與上海市寶山區(qū)舉行“長三角國創(chuàng)中心-寶山區(qū)合作項目簽約大會”。

根據(jù)協(xié)議，長三角國創(chuàng)中心將與寶山區(qū)合作共建“上海長三角數(shù)字醫(yī)療技術研究所”，實施“激光晶體材料”和“泛半導體腔體”兩項重大產業(yè)化技術項目。其中：

激光晶體材料項目聚焦晶體材料鍵合核心技術和工藝的自主研發(fā)，有效提升激光器的可靠性和穩(wěn)定性，降低封裝成本，推動激光器件封裝技術的微型化發(fā)展。通過項目，計劃進一步拓展其自主核心技術及器件產品在汽車級、工業(yè)級、民用消費級以及軍工等領域應用。

真空腔體固態(tài)成型項目是制造光伏半導體器件、高端液晶面板半導體、功率半導體器件的關鍵核心工藝，可為半導體集成電路、光伏和顯示面板制造等泛半導體行業(yè)提供高質量鋁合金真空腔體。

5億元中鎧電子封裝基地項目簽約落戶青島

據(jù)萊西經濟開發(fā)區(qū)消息，近期，山東中鎧電子科技有限公司與青島市萊西經濟開發(fā)區(qū)管委會舉行簽約儀式。

據(jù)悉，中鎧電子封裝基地項目落戶萊西經濟開發(fā)區(qū)，計劃投資5億元，主要建設電子元器件金屬組件自動化生產線及電子封裝產業(yè)基地。

景旺電子深圳寶安半導體封裝基板項目開工

近日，深圳寶安區(qū)舉行一季度重大項目開工活動，總投資約915.2億元的71個新開工項目啟動，其中包括景旺電子的半導體封裝基板及高端高密度印制電路智能制造基地項目。

據(jù)寶安日報報道，該項目位于燕羅街道，規(guī)劃占地面積約1.8萬平方米，總建筑面積約6.9萬平方米。項目建成后主要開展半導體封裝基板、高端高密度印制電路板（含5G通訊用板、新能源汽車用板和新型智能終端用板等）的研發(fā)、中試和中小批量制造業(yè)務。項目預計2025年交付使用，建成后達產后預計可實現(xiàn)年產值70億元。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)