10月13日,臺(tái)積電在第三季度法說(shuō)會(huì)上公布了第三季度財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)以及第四季度展望,此外,臺(tái)積電總裁魏哲家、財(cái)務(wù)長(zhǎng)黃仁昭也透露了供應(yīng)鏈庫(kù)存狀況、南京廠最新動(dòng)態(tài)、資本支出、擴(kuò)產(chǎn)設(shè)廠、先進(jìn)制程等問(wèn)題。從臺(tái)積電動(dòng)態(tài),可以窺知當(dāng)前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入調(diào)整時(shí)期。
財(cái)報(bào)數(shù)據(jù)顯示,臺(tái)積電第三季度營(yíng)收為6131.4億元新臺(tái)幣(約1385.7億元人民幣),同比增長(zhǎng)47.9%,環(huán)比增長(zhǎng)14.8%;其中凈利潤(rùn)表現(xiàn)亮眼,達(dá)到2808.7億元新臺(tái)幣(約634.77億元人民幣),同比增長(zhǎng)79.7%,環(huán)比增長(zhǎng)18.5%。

圖片來(lái)源:臺(tái)積電財(cái)報(bào)截圖
利潤(rùn)率方面,臺(tái)積電三季度毛利率60.4%,再創(chuàng)歷史新高,超市場(chǎng)預(yù)估的58.9%,其前季為59.1%;營(yíng)業(yè)利益率 50.6%,超市場(chǎng)預(yù)估的 48.7%,前季為49.1%。

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從技術(shù)節(jié)點(diǎn)看,臺(tái)積電第三季5納米制程出貨占晶圓銷售金額28%,7納米占比26%,16納米12%,28納米10%。總體而言,先進(jìn)制程(包含7納米及更先進(jìn)制程)的營(yíng)收占比達(dá)到全季晶圓銷售金額的54%,且近年來(lái)不斷上升,其中5納米及及更先進(jìn)制程占比今年上升明顯。

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以技術(shù)平臺(tái)分,第三季臺(tái)積電智能手機(jī)營(yíng)收占比41%,高性能計(jì)算(HPC)39%,物聯(lián)網(wǎng)10%,車(chē)用電子5%,消費(fèi)電子2%,其中,物聯(lián)網(wǎng)營(yíng)收大增33%,智能手機(jī)增幅達(dá)25%,動(dòng)能最強(qiáng)勁。
展望第四季度,臺(tái)積電預(yù)估營(yíng)收將達(dá)199-207億美元(約1426.83—1484.19億元人民幣),相當(dāng)于季減1.6%至季增2.3%,平均值換算為0.4%。
黃仁昭指出,以第四季毛利率預(yù)估值中位數(shù)來(lái)看,將與第三季持平,主要是匯率有利因素與產(chǎn)能利用率下滑相抵銷。“臺(tái)積電為了應(yīng)對(duì)2023年的成本上升壓力將持續(xù)推動(dòng)價(jià)值的銷售,長(zhǎng)期毛利率53%以上仍可實(shí)現(xiàn)。”
魏哲家表示,第四季因智能手機(jī)與高性能計(jì)算,對(duì)5納米需求持續(xù)增加,平衡客戶持續(xù)進(jìn)行庫(kù)存調(diào)整所帶來(lái)的影響,因此預(yù)估業(yè)績(jī)將持平表現(xiàn)。
而在庫(kù)存產(chǎn)能方面,魏哲家補(bǔ)充,半導(dǎo)體供應(yīng)鏈持續(xù)去庫(kù)存,預(yù)期庫(kù)存水位將于第3季達(dá)到高峰,第4季庫(kù)存水位將下滑,庫(kù)存調(diào)整將維持幾季時(shí)間,可能延續(xù)到2023年上半年。
魏哲家認(rèn)為庫(kù)存調(diào)整的影響將持續(xù),估計(jì)2023年雖然整體半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可能衰退,不過(guò)臺(tái)積電仍將是成長(zhǎng)的一年,在高性能計(jì)算(HPC)應(yīng)用驅(qū)動(dòng)先進(jìn)制程需求,預(yù)期未來(lái)幾年美元營(yíng)收將成長(zhǎng)15%至20%。
據(jù)外媒近日?qǐng)?bào)道,臺(tái)積電已獲得為期一年的繼續(xù)訂購(gòu)美國(guó)芯片制造設(shè)備以在中國(guó)大陸擴(kuò)張的許可證,而臺(tái)積電在第三季度法說(shuō)會(huì)上也證實(shí)這一消息。
臺(tái)積電表示,已獲得美國(guó)一年許可用于南京工廠生產(chǎn)28nm和16nm制程的產(chǎn)品,臺(tái)積電將在完全遵守所有規(guī)章制度的情況下為所有客戶提供服務(wù)。
另外,臺(tái)積電建廠計(jì)劃也十分值得關(guān)注。
臺(tái)積電總裁魏哲家表示,5納米制程需求強(qiáng)勁,美國(guó)亞利桑那州5納米廠建廠計(jì)劃符合進(jìn)度。
“南京廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃也依規(guī)劃進(jìn)行,盡管7納米需求趨緩,不過(guò)高雄廠建廠也依進(jìn)度進(jìn)行。日本廠同樣依進(jìn)度進(jìn)行,符合客戶需求。”魏哲家說(shuō)道。
此外值得關(guān)注的是,近期業(yè)界有消息傳出,臺(tái)積電考慮在德國(guó)德勒斯登(Dresden)設(shè)廠,預(yù)估10月將派團(tuán)考察。關(guān)于歐洲建廠計(jì)劃,魏哲家指出,臺(tái)積電將會(huì)持續(xù)增加擴(kuò)產(chǎn)布局,不排除任何可能性,不過(guò),將視客戶需求、商業(yè)機(jī)會(huì)、運(yùn)營(yíng)效率及成本而定。
臺(tái)積電在第三季度法說(shuō)會(huì)時(shí)表示再次下調(diào)今年資本支出至360億美元,此前,臺(tái)積電預(yù)計(jì)今年資本支出在400至440億美元之間,第2季法說(shuō)會(huì)時(shí)臺(tái)積電將資本支出下調(diào)至400億美元。
黃仁昭指出,今年資本支出70-80%用于先進(jìn)制程,10%用于先進(jìn)封裝量產(chǎn),10-20%用于特殊制程,并強(qiáng)調(diào)將持續(xù)支持客戶長(zhǎng)期需求成長(zhǎng),將與客戶合作規(guī)劃產(chǎn)能。
黃仁昭解釋資本支出削減原因時(shí)表示,一個(gè)原因是基于對(duì)目前營(yíng)運(yùn)中期前景的展望,進(jìn)行產(chǎn)能優(yōu)化;另一個(gè)原因是(生產(chǎn))工具交付的挑戰(zhàn)。關(guān)于生產(chǎn)工具,業(yè)績(jī)關(guān)注的焦點(diǎn)在于ASML的光刻機(jī),今年Q2季度時(shí)ASML就已表明訂單積壓額超過(guò)330億歐元。
至于2023年資本支出,黃仁昭則說(shuō),目前仍謹(jǐn)慎看待客戶需求,但會(huì)確保能支持客戶長(zhǎng)期結(jié)構(gòu)成長(zhǎng)。
除了臺(tái)積電外,近期美光、鎧俠也在通過(guò)削減資本開(kāi)支、減產(chǎn)等緊急舉措應(yīng)對(duì)市場(chǎng)變化。美光宣布公司明年資本支出將削減30%,晶圓廠設(shè)備支出減少50%;鎧俠則表示將調(diào)整日本四日市和北上NANA Flash晶圓廠的生產(chǎn),從10月開(kāi)始晶圓生產(chǎn)量將減少約30%。
在先進(jìn)制程方面,魏哲家表示2023年臺(tái)積電目標(biāo)制程產(chǎn)品組合持續(xù)增加,2023年產(chǎn)能利用率仍將在價(jià)值提升下維持,將會(huì)是成長(zhǎng)的一年。不過(guò)臺(tái)積電7納米產(chǎn)能利用率因市場(chǎng)需求變化短期轉(zhuǎn)弱,主要是來(lái)自手機(jī)與PC部分客戶需求多數(shù)運(yùn)用6納米/7納米相關(guān)調(diào)整都已經(jīng)同步發(fā)生(It's just Happened)庫(kù)存調(diào)整。
隨著7納米產(chǎn)能利用率下滑,臺(tái)積電也調(diào)整高雄廠產(chǎn)能規(guī)劃,高雄廠預(yù)計(jì)今年動(dòng)土,2024年開(kāi)始量產(chǎn),原規(guī)劃以7納米及28納米制程為主。不過(guò),魏哲家今日表示,高雄廠7納米計(jì)劃有所調(diào)整,但28納米不變、依照進(jìn)度進(jìn)行。
而在3納米制程方面,臺(tái)積電則傳來(lái)好消息。魏哲家表示,客戶對(duì)3納米的需求超越臺(tái)積電的供應(yīng)量,部分原因來(lái)自持續(xù)存在的機(jī)臺(tái)交期問(wèn)題,預(yù)估明年將滿載生產(chǎn),3納米營(yíng)收占比約為4-6%。
“臺(tái)積電正與設(shè)備供應(yīng)商緊密合作,為3納米制程準(zhǔn)備更多產(chǎn)能,以支持客戶在明年、2024年及未來(lái)的強(qiáng)勁需求。”魏哲家說(shuō)道。
而對(duì)于更為先進(jìn)的2納米技術(shù)進(jìn)程,魏哲家透露,目前為止一切順利,甚至優(yōu)于預(yù)期,仍照進(jìn)度預(yù)計(jì)2025 年量產(chǎn)。此前資料顯示,2納米將用新的納米片(nanosheet)技術(shù),和3納米技術(shù)相比,功效大幅往前推進(jìn)。在相同功耗下,速度增快10~15%,或在相同速度下,功耗降低25~30%。

封面圖片來(lái)源:拍信網(wǎng)