近期，隨著首批3納米GAA制程芯片正式出貨，三星第二代3納米芯片量產(chǎn)時程也受到外界關注。

最新消息是，行業(yè)分析師Sravan Kundojjala近日在Twitter上表示，三星第二代3納米將于2024年量產(chǎn)，并為此與多位移動客戶進行洽談，意味著三星第二代3納米芯片可能已吸引手機制造商的注意。

不過，根據(jù)韓國媒體《BusinessKorea》此前報道，三星計劃在2023年開始生產(chǎn)第二代3納米芯片，并于接下來的2025年開始生產(chǎn)2納米芯片。《BusinessKorea》認為，三星想在技術實力上保持領先，盡快趕上臺積電，因為臺積電計劃開始制造采用FinFET技術的3納米芯片，并在2025年生產(chǎn)采用GAA技術的2納米芯片。

資料顯示，三星于今年6月底開始生產(chǎn)第一代3納米GAA工藝芯片，首先將應用于高性能、低功耗計算領域的半導體芯片，并計劃將其擴大至移動處理器領域。

與三星5nm工藝相比，三星第一代3nm工藝可以使功耗降低45%，性能提升23%，芯片面積減少16%。三星此前，表示，未來第二代3nm工藝將使功耗降低50%，性能提升30%，芯片面積減少35%。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)