6月28日消息，《韓國日報》報道三星將于6月30日開始量產(chǎn)3納米芯片。

2021年三星在年度晶圓代工論壇（SFF）上，介紹了其基于GAA 晶體管結構的3納米和2納米工藝節(jié)點的路線圖，按照計劃三星將于2022年上半年生產(chǎn)3納米芯片，采用環(huán)繞閘極技術 ( GAAFET) 技術。

BusinessKorea報道，三星6月初已導入3納米GAAFET制程，進行試驗性量產(chǎn)，成為第一家運用GAAFET技術的公司。今年6月22日，市場傳來三星因良率遠低于目標延遲3納米芯片量產(chǎn)的消息，對此三星回應表示仍按進度開始量產(chǎn)3納米芯片。

三星希望借助GAA技術，在先進制程領域趕超晶圓代工龍頭企業(yè)臺積電。與當前的FinFET（鰭式場效應晶體管）工藝相比，GAA工藝可讓芯片面積減少45%的同時提升30%的性能，功耗降低50%。

稍早之前，臺積電對外公布了最新技術路線圖，該公司3納米制程節(jié)點仍將采用FinFET工藝，第一個3納米級節(jié)點（N3）芯片，有望在今年下半年量產(chǎn)，實體產(chǎn)品將于2023年初交付客戶。

除了3納米“撞檔”之外，三星與臺積電在2納米芯片量產(chǎn)時間上同樣有“默契”的選擇。三星計劃2025年量產(chǎn)采用GAA技術的2納米芯片，臺積電也將于2025年量產(chǎn)2納米（N2）芯片，并將采用GAAFET工藝，以取代FinFET工藝。

附：臺積電最新技術路線圖

近期臺積電展開2022年臺積電技術研討會北美場，分享制程技術發(fā)展藍圖及未來計劃。

其中，臺積電初始3納米節(jié)點被稱為N3，有望在今年下半年開始量產(chǎn)，并從明年初交付給客戶。與N5相比，臺積電N3功耗降低25%到30%，性能提升10% 到15%。此外，臺積電還將于未來幾年推出N3E、N3P、N3S和N3X四種N3衍生制造工藝。

2納米（N2）方面，臺積電透露，N2工藝節(jié)點將首次使用GAAFET架構，計劃在2025年投產(chǎn)。作為全新的平臺，N2 將廣泛采用EUV極紫外光刻。新的環(huán)柵晶體管結構將大大降低漏電流并提高性能、降低功耗：同等功率和晶體管數(shù)量下性能提升10%到15%，或者同等頻率和復雜度下功耗降低 25%至30%。同時，N2的節(jié)點密度將是N3E的1.1倍以上。

除了移動計算基準版本之外，N2技術平臺還包括一個高性能版本，以及全面的小芯片集成解決方案。