為了應(yīng)對市場需求不斷增長的狀況，半導(dǎo)體相關(guān)企業(yè)擴產(chǎn)動作頻繁。近日臺積電、三星、ASML、日本電裝傳來新消息。

臺積電：或1萬億新臺幣擴產(chǎn)2nm

近期相關(guān)報道顯示，臺積電在2nm和3nm工藝的開發(fā)上取得了不錯的進展，且臺積電方面將準備研發(fā)1.4nm工藝。

2nm工藝方面，據(jù)中國臺灣經(jīng)濟日報報道，臺積電將砸1萬億新臺幣（約2290億元人民幣）在臺中擴大2nm產(chǎn)能布局，有望在中清乙工建設(shè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈園區(qū)。目前，臺積電正向相關(guān)部門提出設(shè)廠用地需求。

此前，臺積電總裁魏哲家在法說會上表示，臺積電2nm預(yù)期會是最成熟與最適合技術(shù)來支持客戶成長，臺積電目標是在2025年量產(chǎn)。

據(jù)悉，臺積電將在2nm的節(jié)點推出Nanosheet/ Nanowire的晶體管架構(gòu)，另外還將采用新的材料，包括High mobility channel、2D、CNT等，其中2D材料方面，臺積電已挖掘石墨烯之外的其他材料，可以逐漸用在晶體管上。

3nm工藝上，臺積電今年4月上旬公開表示，該公司在3nm工藝開發(fā)上取得突破。其中在今年8月將可能率先投片第二版3nm制程的N3B，2023年第二季度將有可能量產(chǎn)3nm制程的N3E，比預(yù)計提前了半年。

據(jù)悉，第二版3nm制程N3B，將在新竹12廠研發(fā)中心第八期工廠及南科18廠P5廠同步投片，正式以鰭式場效晶體管（FinFET）架構(gòu)，對決三星的環(huán)繞閘極（GAA）制程。據(jù)悉，臺積電初步規(guī)劃新竹工廠每月產(chǎn)能約1萬至2萬片，臺南工廠產(chǎn)能為1.5萬片。

此外，據(jù)Business Korea報道，臺積電打算在6月份將其N3制程節(jié)點的團隊做重新分配，以組建1.4nm級制造工藝的研發(fā)隊伍。

三星：加快3nm量產(chǎn)速度

近日，據(jù)韓媒消息，三星芯片及代工高層大洗牌，目前三星電子已撤換負責(zé)開發(fā)下一代芯片的半導(dǎo)體研發(fā)中心負責(zé)人，新的負責(zé)人由副總裁兼Flash開發(fā)部門負責(zé)人Song Jae-hyuk 擔任。

晶圓代工業(yè)務(wù)方面，三星指派半導(dǎo)體設(shè)備解決方案部門的全球制造與基礎(chǔ)設(shè)施副總裁Nam Seok-woo兼任晶圓代工制造技術(shù)中心負責(zé)人，同時還任命存儲器制造技術(shù)中心副總裁Kim Hong-shik帶領(lǐng)晶圓代工技術(shù)創(chuàng)新團隊。

2021年底，三星曾全面撤換半導(dǎo)體、手機、消費電子三大事業(yè)主管，并將手機及消費電子事業(yè)合并，將經(jīng)營重心轉(zhuǎn)向半導(dǎo)體。時隔半年，三星又將內(nèi)存業(yè)務(wù)大將部署至晶圓代工事業(yè)，積極推進晶圓代工事業(yè)發(fā)展。

三星的代工業(yè)務(wù)備受壓力。此前，業(yè)內(nèi)傳出三星4nm工藝良率只有35%，使得高通、英偉達、AMD等廠商將部分產(chǎn)品交由臺積電代工。

目前三星正加快3nm量產(chǎn)速度。今年4月末三星宣布將在本季度開始使用3GAE（早期3nm級柵極全能）工藝進行大規(guī)模生產(chǎn)。近日，官方消息顯示，預(yù)計最快今年6月量產(chǎn)3nm制程。

三星集團5月24日發(fā)表聲明表示，計劃在截至2026年的五年內(nèi)，將支出增加30%以上，達到450萬億韓元（約合3600億美元），以支持從芯片到生物制藥等領(lǐng)域的業(yè)務(wù)。

ASML：2億美元擴建威爾頓工廠

據(jù)《科創(chuàng)板日報》消息，近日，ASML宣布將斥資2億美元擴建其位于康涅狄格州威爾頓的工廠。據(jù)悉，ASML Wilton是ASML在美國最大的研發(fā)和制造基地。

隨著英特爾、三星、臺積電等晶圓代工廠大幅擴產(chǎn)，對于設(shè)備的需求也水漲船高。據(jù)悉，ASML擴產(chǎn)的腳步早已邁開。

在今年Q1財報會議上，ASML表示，隨著第二季度芯片制造設(shè)備的市場需求超過供應(yīng)量，將上調(diào)長期營收預(yù)期，維持今年20%的營收增幅和55臺極紫外光科技的產(chǎn)能預(yù)期不變，并表示，2025年將能生產(chǎn)70多部極紫外光刻機。

3月下旬，ASML在其新加坡工廠的開幕式上宣布，將繼續(xù)在該工廠興建第二座制造車間，預(yù)計將于2023年初投產(chǎn)。擴建后的工廠將讓該公司在新加坡的產(chǎn)能增加3倍，全球產(chǎn)能倍增。

5月下旬，據(jù)路透社報道，ASML正在著手研發(fā)價值4億美元（約合人民幣26.75億元）的新旗艦光刻機，有望2023年上半年完成原型機，最早2025年投入使用，2026年到2030年主力出貨。

電裝：將自產(chǎn)半導(dǎo)體銷售額增加兩成

據(jù)共同社消息，豐田汽車集團旗下電裝公司公布新的目標，稱到2025年把本公司生產(chǎn)的半導(dǎo)體銷售額從現(xiàn)在的4200億日元增加兩成至5000億日元（約合人民幣257億元）。公司生產(chǎn)將重視控制電力的“功率半導(dǎo)體”和用于監(jiān)控電池等的“模擬半導(dǎo)體”領(lǐng)域，今后還將推進面向自動駕駛的傳感器開發(fā)。

據(jù)報道，為實現(xiàn)半導(dǎo)體的穩(wěn)定采購，電裝還將深化與專業(yè)廠家等的合作。據(jù)悉，今年2月，為穩(wěn)定采購半導(dǎo)體，電裝宣布將向臺積電（TSMC）為進駐熊本縣而設(shè)立的子公司出資。

此外，聯(lián)電還曾宣布，公司日本子公司USJC將與電裝（DENSO）合作車用功率半導(dǎo)體制造，并將為DENSO建設(shè)一條IGBT產(chǎn)線。

其中，DENSO將提供其系統(tǒng)導(dǎo)向的IGBT元件與制程技術(shù)，而USJC則提供12英寸晶圓廠制造能力，預(yù)計在2023年上半年達成IGBT制程在12英寸晶圓的量產(chǎn)。這項合作已獲得日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省的必要性半導(dǎo)體減碳及改造計劃的支持。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)