據(jù)韓國(guó)媒體《The ELEC》報(bào)道，三星位于平澤市的P3晶圓廠將于5月開(kāi)始安裝設(shè)備，并持續(xù)到7月，較原計(jì)劃時(shí)程提前一個(gè)月，預(yù)計(jì)下半年建設(shè)完成。

三星平澤市P3晶圓廠于2020年開(kāi)始建設(shè)，占地70萬(wàn)平方米，將成為全球最大晶圓廠廠區(qū)，是三星P2晶圓廠1.7倍。三星計(jì)劃未來(lái)幾年內(nèi)對(duì)P3晶圓廠的投資將達(dá)30萬(wàn)億-50萬(wàn)億韓元（約合人民幣1563.6億元-2606億元）。

據(jù)悉，三星平澤市P3晶圓廠既生產(chǎn)存儲(chǔ)器又生產(chǎn)邏輯芯片。不過(guò)將率先生產(chǎn)NAND Flash快閃存儲(chǔ)器，之后開(kāi)始生產(chǎn)DRAM，最后是3納米制程晶圓制造與代工產(chǎn)線。

此外，平澤晶圓廠將大量采用極紫外曝光設(shè)備 (EUV) 生產(chǎn)，報(bào)道提到，這一工廠的NAND閃存生產(chǎn)線，將采用極紫外光刻機(jī)生產(chǎn)第7代176層V-NAND閃存，而為其他廠商代工晶圓的3nm工藝，也需要極紫外光刻機(jī)。

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