據(jù)外媒tomshardware4月15日報道，俄羅斯政府已經(jīng)制定了新的微電子發(fā)展計劃的初步版本，預(yù)計到2030年需要投資約3.19兆盧布（384.3億美元）。這筆資金將用于開發(fā)半導(dǎo)體生產(chǎn)技術(shù)、芯片設(shè)計、數(shù)據(jù)中心基礎(chǔ)設(shè)施開發(fā)、相關(guān)半導(dǎo)體人才培養(yǎng)以及芯片解決方案的營銷等。

在半導(dǎo)體制造方面，俄羅斯計劃花費4200億盧布（50億美元）用于新的制造技術(shù)及其提升。短期目標(biāo)之一，是在2022年底前達成以使用90nm制造技術(shù)來提高芯片產(chǎn)量。另一個更長期的目標(biāo)，是到2030年建立使用28nm節(jié)點的制造，而臺積電在2011年就已做到了這一點。  

據(jù)悉，該計劃預(yù)計將于2022年4月22日敲定，并送交俄羅斯總理正式批準(zhǔn)。

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