2月17日，德國(guó)半導(dǎo)體制造商英飛凌宣布，將投資20億歐元（合計(jì)約144億元人民幣）提高在寬帶隙（SiC和GaN）半導(dǎo)體領(lǐng)域的制造能力。英飛凌正在加強(qiáng)自身在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位。

英飛凌表示，將在其馬來(lái)西亞居林工廠建造第三個(gè)廠區(qū)。若完成，新廠區(qū)將通過(guò)碳化硅和氮化鎵產(chǎn)品產(chǎn)生20億歐元的額外年收入。

圖片來(lái)源：英飛凌官網(wǎng)截圖

據(jù)了解，英飛凌居林3號(hào)廠區(qū)將于今年6月開(kāi)始建設(shè)。新的晶圓廠將于2024年夏季建成，第一批晶圓將于2024年下半年下線。

據(jù)媒體報(bào)道，英飛凌還表示，將在未來(lái)幾年把奧地利菲拉赫的6英寸、8英寸硅基半導(dǎo)體生產(chǎn)線改造為第三代半導(dǎo)體生產(chǎn)線。

封面圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)