在近期召開的TrendForce集邦咨詢MTS2022存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上，沛頓科技首席技術(shù)官何洪文在演講中談及合肥沛頓存儲項目最新進展，并分享了對未來存儲封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢及技術(shù)挑戰(zhàn)的見解。

合肥沛頓存儲將于今年年底投產(chǎn)

據(jù)“沛頓科技”官微資料顯示，合肥沛頓存儲科技有限公司（以下簡稱合肥沛頓存儲）于2020年10月30日成立于安徽省合肥市經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)空港經(jīng)濟示范區(qū)。合肥沛頓存儲作為沛頓科技在華東地區(qū)的運營基地，將配合國內(nèi)主要客戶，提供晶圓測試、封裝測試、模組組裝一條龍服務模式。

項目占地面積約178畝，于2021年3月啟動建設(shè)，于6月26日實現(xiàn)一期封頂，10月27日首線設(shè)備順利進場。

項目達產(chǎn)后，預計可實現(xiàn)年封測DRAM顆粒5.76億顆，年封裝NAND FLASH 3840萬顆，年產(chǎn)內(nèi)存模組3000萬條的生產(chǎn)能力。

先進封裝技術(shù)將被廣泛應用，沛頓科技如何布局？

沛頓科技專注于提供存儲封測領(lǐng)域整體解決方案，何洪文擁有十多年先進封裝技術(shù)研發(fā)及管理經(jīng)驗，對未來存儲封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢及技術(shù)挑戰(zhàn)有獨到的見解。

在MTS2022峰會上，何洪文介紹了包括POPt技術(shù)，3D TSV技術(shù)，Hybrid bonding技術(shù)等先進封裝技術(shù)現(xiàn)狀及挑戰(zhàn)。

對于POPt技術(shù)，主要挑戰(zhàn)為wafer的減薄切割技術(shù)，基板的handling技術(shù)，多層疊die技術(shù)，warpage控制技術(shù)等等；對于3D TSV技術(shù)，除了工藝技術(shù)挑戰(zhàn)之外，還包括散熱挑戰(zhàn)與應力挑戰(zhàn)；對于Hybrid bonding技術(shù)，工藝復雜且可靠性要求高。

何洪文指出未來隨著高端存儲芯片的演進，先進封裝技術(shù)會更多地被應用。

沛頓科技封裝技術(shù)布局方面，何洪文表示POPt技術(shù)及Flip-chip技術(shù)今年已經(jīng)研發(fā)成功并開始試產(chǎn)。同時公司開始布局Bumping工藝，預計2023年上半年可實現(xiàn)量產(chǎn)；3D TSV技術(shù)、HB技術(shù)等也在積極地進行戰(zhàn)略布局和規(guī)劃。