三星沖刺3納米制程火力全開，旗下晶圓代工事業(yè)部門已和全球電子設計自動化（EDA）巨擘益華合作釋出3納米相關工具，加速相關先進制程開發(fā)的數(shù)字程序。相較臺積電和國際EDA廠于5月釋出的進度，三星正以三至四個月的差距緊追在后。

EDA工具在晶圓代工推進先進制程初期具重要性，相關軟件工具能減少IC設計客戶設計的時間，能加速產品設計定案，讓后續(xù)光罩制作、投片生產順利展開，被業(yè)界視為先進制程能成功推進的關鍵因素之一。

三星和臺積電都規(guī)劃在明年下半年量產3納米制程。業(yè)界形容，相關工具到位，等于先進制程開發(fā)進度已達約三分之一，后續(xù)在客制化應用推廣將能更快速推進，不過，完成EDA設計之后，后續(xù)實際生產良率提升，以及客戶接受度是另外兩大重點。

因此，盡管三星在EDA階段僅落后臺積電三至四個月，但臺積電在生產良率與客戶伙伴關系更具優(yōu)勢，預料在3納米競賽中，仍會維持霸主地位。

益華是在美國時間8日向三星晶圓代工廠（半導體委托生產）部門提供3納米環(huán)繞閘極技術（GAA）代工相關的流程設計工具（PDK），進而在半導體設計、實施和物理驗證方面提供比現(xiàn)有程序更快的解決方案。

益華研發(fā)副總裁Michael Jackson指出，這次與三星合作，開發(fā)出能夠更有效地生成和驗證半導體設計等的新流程，同時在新的合作計劃下，可以期待在半導體生產中更穩(wěn)定使用電力、提高性能等。

半導體業(yè)界人士觀察，若三星搶占GAA工藝量產的先機，將有機會成為吸引全球客戶的有力武器。不過，臺積電3納米架構仍以鰭式場效電晶體（FinFET）為基礎，并非采用GAA架構量產，且臺積電客戶群遠多于三星，也反映先投入GAA技術并非易事，三星則是押注在該架構來爭取超越臺積電。

三星與益華并決定在數(shù)據(jù)中心、網絡系統(tǒng)、第五代移動通訊（5G）相關半導體領域加快技術合作。據(jù)悉，對于開發(fā)設計系統(tǒng)，三星方面將提供相關大數(shù)據(jù)，沖刺3納米生產，目標達成明年下半年量產目標。

先前益華支持臺積電5納米制程的PCIe5.0規(guī)格IP是在今年準備就緒。至于后續(xù)支持3納米制程的規(guī)格版本預計2022年初推出。而三星晶圓代工的進度也正計劃追趕相關方向。

臺積電已組成豐富的大同盟，和全球達到18家以上EDA大廠合作，而三星電子看到相關聯(lián)盟優(yōu)勢，也正計劃將加強各大美國EDA廠商合作，特別是在3納米相關技術在內的下一代半導體技術開發(fā)合作。

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