外媒指出，因韓國(guó)三星3納米先采用閘極全環(huán)電晶體（Gate-all-around，GAA）制程，龍頭臺(tái)積電預(yù)計(jì)2納米開(kāi)始使用GAA制程，此提高芯片運(yùn)算效能及降低功耗的技術(shù)，將成為先進(jìn)半導(dǎo)體制程競(jìng)爭(zhēng)的新戰(zhàn)場(chǎng)，也成為三星領(lǐng)先臺(tái)積電的關(guān)鍵。

韓國(guó)媒體《BusinessKorea》報(bào)導(dǎo)，相較鰭式晶體管（FinFET），GAA是金屬柵極全面性包覆，為環(huán)狀結(jié)構(gòu)，比FinFET金屬柵極只包覆3面來(lái)說(shuō)，增加更多半導(dǎo)體電路，再以閘極包覆納米線，提高電路控制和穩(wěn)定性，提升芯片運(yùn)算效能，并降低芯片功耗。

因GAA技術(shù)是半導(dǎo)體制程革新，因此被三星視為超車臺(tái)積電的重要武器。報(bào)導(dǎo)指出，雖然就3納米制程發(fā)展?fàn)顩r，臺(tái)積電開(kāi)始與蘋果、英特爾合作3納米制程測(cè)試，預(yù)計(jì)2022下半年量產(chǎn)，而三星3納米制程最快要到2022年才會(huì)推出，正式量產(chǎn)時(shí)間則到2023年，仍舊落后臺(tái)積電。英特爾目前還在7納米制程，落后臺(tái)積電與三星約一世代。

若從導(dǎo)入GAA制程角度來(lái)看，三星就可能超越臺(tái)積電。原因是三星2022年就開(kāi)始試產(chǎn)3納米制程導(dǎo)入GAA，但臺(tái)積電要到2023年才開(kāi)始由2納米導(dǎo)入GAA，更不用說(shuō)英特爾2024年才采用改良自GAA制程技術(shù)的RibbonFET制程生產(chǎn)2納米。三星進(jìn)一步領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手，也有機(jī)會(huì)取得客戶青睞。

雖然市場(chǎng)第一個(gè)量產(chǎn)3納米制程的頭銜將由臺(tái)積電拿下，但先導(dǎo)入GAA制程技術(shù)是三星。透過(guò)GAA制程改變，三星預(yù)計(jì)可彎道超車臺(tái)積電。

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