7月27日，意法半導體官微宣布，ST瑞典北雪平工廠制造出首批200mm (8英寸)碳化硅(SiC)晶圓片，這些晶圓將用于生產(chǎn)下一代電力電子芯片的產(chǎn)品原型。

圖片來源：ST官微

意法半導體指出，SiC晶圓升級到200mm標志著擴大產(chǎn)能，以及支持汽車和工業(yè)市場實現(xiàn)系統(tǒng)和產(chǎn)品電氣化的計劃取得階段性成功。

消息表示，首批200mm SiC晶圓片質量上乘，其芯片良率和晶體位錯的缺陷率影響非常少。除了晶圓片滿足嚴格的質量標準外，SiC晶圓升級到200mm還需對制造設備和整體支持生態(tài)系統(tǒng)進行升級更換。據(jù)披露，意法半導體正在與供應鏈上下游技術廠商合作開發(fā)自己的制造設備和生產(chǎn)工藝。

值得關注是，意法半導體介紹稱，200mm晶圓與 150mm晶圓相比，可增加產(chǎn)能，將制造集成電路可用面積幾乎擴大1 倍，合格芯片產(chǎn)量是150mm晶圓的1.8 - 1.9 倍。

據(jù)意法半導體官微揭露，意法半導體先進的量產(chǎn)碳化硅產(chǎn)品STPOWER SiC目前是在卡塔尼亞（意大利）和宏茂橋（新加坡）兩家150mm晶圓廠完成前工序制造，后工序制造是在深圳（中國）和布斯庫拉（摩洛哥）的兩家封測廠進行的。這個階段性成功是意法半導體布局更先進的、高成本效益的200mm SiC量產(chǎn)計劃的組成部分。SiC晶圓升級到200mm屬于公司正在執(zhí)行的SiC襯底建新廠和內(nèi)部采購SiC襯底占比超40%的生產(chǎn)計劃。

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