晶圓代工龍頭臺積電昨日舉行2021技術論壇，提到設計解決方案和實現(xiàn)，以及卓越制造兩方面。設計解決方案和實現(xiàn)提到臺積電創(chuàng)新制程價值，并公布N7、N5、N3等先進節(jié)點制程產品帶來的效益提升。卓越制造方面，臺積電指出，N7產能相較3年前將成長4倍，到2023年N5和N4產量也將比前一年增長4倍以上。

臺積電指出，多年來臺積電致力提供卓越前端和后端制造服務，即使在前所未有的時期，也能協(xié)助客戶釋放創(chuàng)新能量。就以臺積電N7、N5、N3等3個全節(jié)點先進制程的邏輯密度增長來說，N5就比N7高1.8倍，N3又會比N5高1.7倍。N6及N4半節(jié)點先進制程邏輯密度成長，N6比N7成長18%，N4比N5成長8%?？煽闯雠_積電各先進制程邏輯密度持續(xù)成長，也為客戶的產品持續(xù)帶來效能提升。

臺積電針對3節(jié)點先進制程效益比較，支援智能手機方面，以Arm A72核心來為比較標準，N5比N7成長1.8倍邏輯密度，提升15%運算效能，且降低20%運算功耗。N3較N5提高1,7倍邏輯密度，提升9%運算速度，功耗降低28%。

高效能運算支援方面，臺積電以Arm A78核心為比較標準，相同功耗下N5較N7增加15%運算速度?；蛳嗤\算速度下降低34%功耗。N3方面，相同功耗下較N5提升12%運算速度，或相同運算速度下降低32%功耗。還藉由N5量產經(jīng)驗，臺積電得以將N4芯片尺寸縮小6%，同時保持N5相容性。N3基礎矽智財已準備就緒，可開始設計流程。

談完臺積電設計解決方案和實現(xiàn)之后，卓越制造方面，正進入較高成長區(qū)間，因為5G和高效能運算的大趨勢可望在未來幾年內推動對半導體技術的強勁需求。疫情也加速各領域數(shù)位化。臺積電計劃3年內投資1,000億美元，包括2021年300億元資本支出，以增加產能并支援先進半導體技術的制造及研發(fā)。

新產能提升及新晶圓廠現(xiàn)況，臺積電承諾投資產能，以支援全球客戶的需求。包括迅速提升N7、N7+和N6產能，使N7產能相較3年前成長4倍。2023年N5和N4產量將比前一年增長4倍以上。整體而言，自2018到2021年，臺積電先進制程技術產能增加30%以上。這也使2020年臺積電約占全球EUV技術產能一半，占全球累計晶圓數(shù)量65%，且預估2021年EUV光罩護膜產能將是2019年20倍。

特殊制程技術制造產能預計較去年同期增長12%。位于南科的晶圓18廠，N5制程已于前三期廠房量產，第四期正在施工。N3廠房正在準備，未來特殊技術制程廠房也正準備。竹科廠區(qū)，臺積電也計劃提高3納米和2納米開發(fā)和生產效率，晶圓12廠第8期將于2021年完成。此外，臺積電也計劃建造一座2納米制程的新晶圓廠，目前正在進行土地取得程序。

而在先進封裝與測試營運的方面，臺積電表示過去3年，CoWoS產量成長25%。目前正擴大竹南廠區(qū)凸塊制程、測試和后端3D先進封裝服務產能。廠區(qū)目前正在施工，預計2022下半年開始生產TSMC-SoIC。