近期，國產(chǎn)存儲芯片廠商東芯半導(dǎo)體股份有限公司（下稱“東芯股份”）披露了科創(chuàng)板第二輪問詢回復(fù)。

東芯股份主要為客戶提供NAND、NOR及DRAM等存儲芯片。對于NAND Flash產(chǎn)品，東芯股份主要聚焦平面型SLC NAND Flash的設(shè)計與研發(fā)，存儲容量覆蓋1Gb至8Gb，其下游應(yīng)用場景覆蓋5G通訊模塊和集成度要求較高的終端系統(tǒng)運行模塊等。

目前，東芯股份尚未在3D NAND領(lǐng)域布局。對此上交所要求東芯股份說明，目前產(chǎn)品未涉及2D MLC/TLC、3D NAND領(lǐng)域的原因，是否具有相應(yīng)的技術(shù)儲備和研發(fā)計劃？

東芯股份回復(fù)表示，目前擁有2D MLC/TLC、3D NAND成熟工藝的晶圓產(chǎn)線企業(yè)，資本投入巨大，均采用IDM經(jīng)營模式，公司雖已有2D MLC/TLC、3D NAND相關(guān)的技術(shù)儲備，但目前整體資金規(guī)模較小，因而選擇以國內(nèi)已有代工產(chǎn)線的SLC NAND為切入點，“未來將在充分考慮代工可行性、工藝穩(wěn)定性、市場空間等因素的前提下，適時研發(fā)3D NAND Flash產(chǎn)品”。

根據(jù)其招股書，東芯股份尚未盈利且母公司最近一期存在累計未彌補虧損。2017年到2020年6月，東芯股份的營業(yè)收入分別為3.58億元、5.10億元、5.14億元和3.12億元，公司扣除非經(jīng)常性損益后歸屬于母公司股東凈利潤分別為-3,242.93萬元、-3,040.02萬元、-6,343.22萬元和-94.71萬元。

圖片來源：東芯股份招股書截圖

此前，在回復(fù)上交所關(guān)于“2018-2019 年未實現(xiàn)盈利原因“的問詢時，東芯股份表示產(chǎn)品導(dǎo)入周期長、產(chǎn)品價格波動下行、成本尚不具備優(yōu)勢、持續(xù)研發(fā)及運營投入較大，使得其歸屬于母公司扣除非經(jīng)常性損益后的凈利潤持續(xù)為負。

關(guān)于盈虧平衡，東芯股份表示隨著下游應(yīng)用市場的不斷擴容、公司市場開拓能力的持續(xù)提升、產(chǎn)品種類的不斷豐富，產(chǎn)品未來的銷售收入將得以持續(xù)增長，同時規(guī)模效應(yīng)將逐步體現(xiàn)。在毛利率、變動成本費用比例、固定成本保持相對穩(wěn)定的情況下，在公司營業(yè)收入達到 7.5 億元左右時將實現(xiàn)盈虧平衡。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)