據(jù)南譙區(qū)人民政府發(fā)布消息，華瑞微半導(dǎo)體IDM芯片項目一期預(yù)計于今年年底正式投產(chǎn)。

華瑞微半導(dǎo)體IDM芯片項目由南京華瑞微集成電路有限公司總投資30億元，項目位于南譙經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)，是南譙浦口合作產(chǎn)業(yè)園的首個入駐項目，主營業(yè)務(wù)為研發(fā)、生產(chǎn)、銷售功率半導(dǎo)體芯片。項目一期用地100畝，6萬平米的生產(chǎn)廠房預(yù)計今年5月封頂，年底將正式投產(chǎn)，一期達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計年銷售額可達(dá)10億元。

華瑞微半導(dǎo)體IDM芯片項目建設(shè)效果圖，圖片來源：南譙區(qū)人民政府發(fā)布

此前消息顯示，華瑞微半導(dǎo)體IDM芯片項目于2020年10月正式開工奠基。據(jù)悉，南京華瑞微集成電路有限公司成立于2018年5月，是一家集功率器件產(chǎn)品研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和服務(wù)于一體的高新技術(shù)企業(yè)。華瑞微已經(jīng)研發(fā)成功且量產(chǎn)的產(chǎn)品包括高壓VDMOS、低壓Trench MOS、超結(jié)MOS和SGT MOS，同時正在開展第三代半導(dǎo)體（SiC、GaN）功率器件的研發(fā)工作。

封面圖片來源：南譙區(qū)人民政府發(fā)布