從“0”到“1”，海滄已經(jīng)初步形成集成電路的產業(yè)集群！隨著士蘭、通富、金柏等一批重點項目在海滄陸續(xù)建成投產、運營，完善了區(qū)域產業(yè)鏈，填補了國內部分行業(yè)領域的空白，也讓海滄走到了產業(yè)發(fā)展的聚光燈下。

重點項目進展如何？一起來看看！

通富微電廈門海滄先進封測項目

· 項目進度

2019年12月項目試投產，當前處于竣工驗收階段。

· 項目簡介

項目由通富微電子股份有限公司與廈門半導體投資集團有限公司共同投資70億元，建設集成電路先進封裝測試基地，主要從事Bumping、WLCSP、FC、CP 、SiP及三、五族化合物的封裝測試業(yè)務。

項目一期計劃投資20億元，建成達產后新增封裝測試集成電路先進封裝測試118.8萬片，年產值超10億元。

廈門封測基地是通富微電第六大生產基地，將實施“通富微電工業(yè)4.0”，全面構建以物聯(lián)網(wǎng)為基礎的智慧工廠。

該項目的實施，可填補廈漳泉福及東南沿海集成電路封測產業(yè)鏈的缺失，銜接大陸和臺灣的產業(yè)資源、人才資源。

士蘭微12吋特色工藝晶圓制造項目

· 項目進度

主廠房主體已基本完工，二次裝修完成65%，潔凈機電安裝施工完成約85%；小棟號主體全部完成，二次結構完成95%；計劃于2020年第四季度試投產。

· 項目簡介

項目由杭州士蘭微電子股份有限公司與廈門半導體投資集團有限公司共同投資170億元，建設兩條12吋90~65nm的特色工藝芯片生產線，產品定位為MEMS、功率半導體器件及相關產品。

項目一期建設一條12吋特色工藝生產線，總投資70億元，規(guī)劃產能8萬片/月，達產后年產值40億元。

項目將利用和突破12吋制造技術瓶頸，打破國內長期以來在這一領域沒有自主知識產權的尷尬局面，大大提升我國在高端電力電子器件的設計與制造水平和產業(yè)化能力，為我國微電子技術的產業(yè)結構調整做出開創(chuàng)性貢獻。

士蘭微化合物半導體器件項目

· 項目進度

2019年12月項目試投產，當前處于竣工驗收階段。

· 項目簡介

項目由杭州士蘭微電子股份有限公司與廈門半導體投資集團有限公司共同投資50億元，建設4/6英寸兼容先進化合物半導體器件生產線，主要產品包括下一代光模塊芯片、5G與射頻相關模塊、高端LED芯片產品，達產后年產值35億元。

該項目的實施對帶動周邊外延片生產、芯片制備、器件封裝以及集成應用發(fā)展并形成比較完整的產業(yè)鏈具有巨大意義。

金柏柔性電路板項目

· 項目進度

目前在樁基施工收尾、樁檢、土方開挖及上部主體施工準備；將于2021年第三季度試投產。

· 項目簡介

項目由香港金柏科技有限公司與廈門半導體投資集團有限公司合作共建，總投資13億元，規(guī)劃建設一條達產月產能3kk的柔性電路板（FPC）生產線，占地面積約4.7公頃，并配套建設集成電路模塊組裝生產線，建成后年產值預計將超10億元。

廈門金柏項目主要以OLED COF等產品建設規(guī)模化量產基地，短期內改善并提升了我國柔性載板技術水平、工藝和材料研發(fā)能力，部分應用領域及重點產品縮小了與日、韓和中國臺灣等國際主流廠家的技術差距，特別是顯示面板的COF封裝領域,填補了國內產業(yè)鏈的缺失。

海滄半導體產業(yè)基地

· 項目進度

目前在樁基施工及上部施工圖紙送審。

· 項目簡介

項目預選址于海滄信息產業(yè)園南部、角嵩路與南海二路交叉口東北側，占地面積約6.83公頃（102.5畝），計劃總投資資6-6.5億元，擬建設2棟11層研發(fā)辦公樓、6棟6～8米層高的高標準中試廠房和相關配套輔助用房，總建筑面積約13.8萬平方米。

建成后將引進SIP（系統(tǒng)級封裝）公共技術平臺、先進封裝測試、晶圓制造、裝備及材料類企業(yè)入駐，目前已有多家企業(yè)意向入駐。預計集聚約40家半導體企業(yè)、提供就業(yè)約2000人，園區(qū)年產值將超50億元，貢獻稅收約1.6億元。

目前，海滄信息產業(yè)園區(qū)共集聚設計類企業(yè)30多家！已經(jīng)落戶制造類企業(yè)6家！在加速集成電路產業(yè)多元化配套的進程中，海滄亮點頻出，并在全國產業(yè)版圖中形成了區(qū)域特色，占據(jù)了一席之地。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)