近期，我國兩家碳化硅大企天岳先進(jìn)、爍科晶體先后披露了最新一代12英寸SiC襯底。據(jù)多位行業(yè)人士表示，雖然可以明顯看到12英寸SiC襯底需求較大，但是今年和明年仍處于8英寸碳化硅元年，預(yù)計(jì)12英寸SiC襯底小規(guī)模生產(chǎn)時(shí)間將落在2027年開始。

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爍科晶體發(fā)布12英寸碳化硅襯底

12月26日，中電科半導(dǎo)體材料有限公司所屬山西爍科晶體有限公司成功研制出12英寸（300mm）高純半絕緣碳化硅單晶襯底，并同期研制成功12英寸（300mm）N型碳化硅單晶襯底。

近期行業(yè)最新消息顯示，國內(nèi)某項(xiàng)目建設(shè)環(huán)評公示平臺(tái)公開了關(guān)于“中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地（二期）竣工環(huán)境保護(hù)驗(yàn)收”報(bào)告。

報(bào)告披露，爍科項(xiàng)目位于山西轉(zhuǎn)型綜合改革示范區(qū)瀟河產(chǎn)業(yè)園太原起步區(qū)(北區(qū))，廠房分兩期建設(shè)。其中一期工程已于2024年5月完成驗(yàn)收；二期工廠在一期工程基礎(chǔ)上擴(kuò)建，在2023年8月進(jìn)行備案，同年10月提交建設(shè)申請，目前也宣告完成驗(yàn)收。

據(jù)“山西轉(zhuǎn)型綜改示范區(qū)”報(bào)道，中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地（二期）項(xiàng)目在2023年9月開始建設(shè)、同年11月主體封頂，今年3月份已進(jìn)入機(jī)電與設(shè)備安裝階段，計(jì)劃4月份開始試運(yùn)行，建成后將新增6-8英寸碳化硅襯底年產(chǎn)能20萬片。

具體來看，二期項(xiàng)目總投資5.2億元，在中國電科（山西）碳化硅材料產(chǎn)業(yè)基地原有地塊內(nèi)新建碳化硅單晶生長車間、購置相關(guān)生產(chǎn)設(shè)備，并在預(yù)留區(qū)新增晶體生長設(shè)備。本項(xiàng)目購入半成品料后，按訂單生產(chǎn)，二期擴(kuò)建產(chǎn)能中部分直接外售，不進(jìn)行進(jìn)一步加工；訂單要求進(jìn)一步加工時(shí)，將進(jìn)入（一期）現(xiàn)有車間進(jìn)行加工。

二期項(xiàng)目建成后，可新增產(chǎn)能N型碳化硅單晶襯底20萬片/年、高純襯底2.5萬片/年、莫桑晶體1.3 噸/年。

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天岳先進(jìn)發(fā)布12英寸碳化硅襯底

11月14日，天岳先進(jìn)官微披露，2024德國慕尼黑半導(dǎo)體展覽會(huì)（Semicon Europe 2024）于11月12日正式開幕，天岳先進(jìn)攜全系列碳化硅（SiC）襯底產(chǎn)品亮相，并于11月13日發(fā)布了12英寸（300mm）N型碳化硅襯底產(chǎn)品，標(biāo)志著碳化硅產(chǎn)業(yè)正式邁入超大尺寸碳化硅襯底時(shí)代。

據(jù)介紹，12英寸碳化硅襯底材料，能夠進(jìn)一步擴(kuò)大單片晶圓上可用于芯片制造的面積，大幅提升合格芯片產(chǎn)量。在同等生產(chǎn)條件下，顯著提升產(chǎn)量，降低單位成本，進(jìn)一步提升經(jīng)濟(jì)效益，為碳化硅材料的更大規(guī)模應(yīng)用提供可能。天岳先進(jìn)董事長宗艷民表示，對于所有SiC器件制造商而言，生產(chǎn)成本的主要壓力在于從棒料（boules）切片形成襯底的緩慢增長率。我們希望通過擴(kuò)大襯底尺寸，持續(xù)降低每單位面積的材料成本。

據(jù)悉，針對高壓大功率電力電子器件用P型碳化硅單晶襯底存在的成本高、電阻率高、缺陷控制難度大等技術(shù)難題，天岳先進(jìn)布局液相法技術(shù)，在2023年發(fā)布了8英寸碳化硅晶體，并于2024年推出了采用液相法制備的4度偏角P型碳化硅襯底。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)