12月30日，英諾賽科（蘇州）科技股份有限公司（以下簡稱“英諾賽科”，股票代碼02577.HK）在香港聯(lián)合交易所主板掛牌上市。

本次英諾賽科向全球發(fā)售4536.4萬股H股，每股發(fā)行價為30.86港元。此次募集資金主要用于擴(kuò)大氮化鎵產(chǎn)能、產(chǎn)品組合以及應(yīng)用研發(fā)等。

據(jù)悉，英諾賽科成立于2017年，是一家專注于第三代半導(dǎo)體氮化鎵芯片研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè)，產(chǎn)品主要包括分立器件、集成電路、晶圓、模組等。

截至2023年末，以折算氮化鎵分立器件出貨量計，英諾賽科在全球氮化鎵功率半導(dǎo)體公司中市場份額排名第一，市占率高達(dá)42.4%。|

氮化鎵作為第三代半導(dǎo)體代表材料，與硅及其他半導(dǎo)體材料相比，氮化鎵具有高頻、電子遷移率高、導(dǎo)通電阻低、無反向恢復(fù)損耗等顯著優(yōu)勢。氮化鎵功率半導(dǎo)體芯片能夠有效降低能量損耗，提升能源轉(zhuǎn)換效率，降低系統(tǒng)成本，實現(xiàn)更小的器件尺寸。

在制造方面，氮化鎵（GaN）晶體可以在各種襯底上生長，包括藍(lán)寶石、碳化硅（SiC）和硅（Si）。在硅上生長氮化鎵外延層（GaN-on-Si）可以使用現(xiàn)有的硅半導(dǎo)體設(shè)備，而且可采用低成本、大直徑的硅晶片。

此外，目前8英寸硅的設(shè)備及流程較6英寸硅更為成熟高效，8英寸氮化鎵的生產(chǎn)更具競爭優(yōu)勢。在全球其他氮化鎵功率半導(dǎo)體公司如EPC、英飛凌、納微半導(dǎo)體、Power Integrations等公司提供6英寸產(chǎn)品為主時，英諾賽科已切入8英寸領(lǐng)域。

早在2017年底，英諾賽科珠海制造工廠建成投產(chǎn)，成為中國首條完整的8英寸硅基氮化鎵晶圓與功率器件量產(chǎn)生產(chǎn)線，主要產(chǎn)品包括8英寸硅基氮化鎵晶圓及100V-650V氮化鎵功率器件。

2021年10月，英諾賽科位于蘇州的制造廠建成投產(chǎn)，該制造廠是全球最大8英寸硅基氮化鎵晶圓制造廠。

在招股說明書中，英諾賽科表示其已成為全球首家實現(xiàn)量產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓的企業(yè)。受益于先進(jìn)的8英寸工藝，其每片晶圓的晶粒產(chǎn)出數(shù)提升80%，單顆芯片成本降低30%，且良率超過95%。

據(jù)TrendForce集邦咨詢報告顯示，2023年全球氮化鎵功率元件市場規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR高達(dá)49%。其中非消費類應(yīng)用比例預(yù)計會從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動等場景為核心。

2024年上半年，英諾賽科氮化鎵晶圓總產(chǎn)能提升至7.3萬片。其中，蘇州生產(chǎn)基地產(chǎn)能為4.9萬片/年，利用率為71.8%；珠海生產(chǎn)基地2.4萬片/年，利用率為74.8%。

本次公開募資，資金主要也將用于氮化鎵產(chǎn)能擴(kuò)張，其中約60%用來擴(kuò)大8英寸氮化鎵晶圓產(chǎn)能、購買及升級生產(chǎn)設(shè)備及機(jī)器以及招聘生產(chǎn)人員。約20%將用于研發(fā)及擴(kuò)大公司的產(chǎn)品組合，以提高氮化鎵產(chǎn)品在終端市場（如消費電子產(chǎn)品、可再生能源及工業(yè)應(yīng)用、汽車電子及數(shù)據(jù)中心）的滲透率。

封面突圖片來源：拍信網(wǎng)