在碳化硅（SiC）核心裝備領(lǐng)域，晶盛機(jī)電于2025年12月24日成功交付了全球首款12英寸單片式碳化硅外延生長(zhǎng)設(shè)備給行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)瀚天天成。這一設(shè)備的研發(fā)標(biāo)志著晶盛機(jī)電在SiC外延技術(shù)上的重大突破，能夠兼容8英寸和12英寸的SiC外延生產(chǎn)。

新設(shè)備采用了獨(dú)特的垂直分流進(jìn)氣方案，顯著提升了晶圓表面溫度的高精度閉環(huán)控制和工藝氣體的精確分區(qū)控制。此外，設(shè)備還配備了自動(dòng)化上/下料模塊及一鍵自動(dòng)PM輔助功能，極大地提高了顆?？刂颇芰途S護(hù)效率。這些技術(shù)創(chuàng)新將為碳化硅外延晶片的生產(chǎn)提供更高的效率和可靠性。

瀚天天成作為全球領(lǐng)先的SiC外延晶片生產(chǎn)商，近期也發(fā)布了全球首款12英寸高質(zhì)量碳化硅外延晶片。這一產(chǎn)品的推出不僅提升了下游功率器件的生產(chǎn)效率，還大幅降低了碳化硅芯片的單位制造成本，為產(chǎn)業(yè)的規(guī)?；偷统杀緫?yīng)用奠定了基礎(chǔ)。與目前主流的6英寸和8英寸晶片相比，12英寸晶片在相同生產(chǎn)流程下能夠顯著增加單片承載的芯片數(shù)量，分別為6英寸晶片的4.4倍和8英寸晶片的2.3倍。