EUV光刻機是先進半導(dǎo)體生產(chǎn)的關(guān)鍵，荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備廠商阿斯麥(ASML)正在有序執(zhí)行藍圖，首階段是標準EUV后迎接High-NA EUV，去年底ASML已交貨英特爾首套High-NA EUV。上周ASML又證實，年底也將向臺積電交貨High-NA EUV。不過，半導(dǎo)體業(yè)剛準備邁入High-NA EUV時代，ASML又開始研究下代機臺Hyper-NA EUV，尋找合適解決方案。

據(jù)EETimes報導(dǎo)，ASML已公布下代機臺Hyper-NA EUV藍圖，目前為開發(fā)早期階段。ASML前技術(shù)長Martin van den Brink 5月在IMEC ITF World演講表示，長遠來說，Hyper-NA EUV需改進光源系統(tǒng)，須采Hyper-NA基礎(chǔ)，同時還需將所有系統(tǒng)生產(chǎn)效率提升到每小時400~500片晶圓。

ASML計劃2030年推出Hyper-NA EUV，數(shù)值孔徑達0.75。較High-NA EUV的0.55數(shù)值孔以及標準EUV的0.33數(shù)值孔徑，精確度提高，可有更高分辨率圖案化及更小晶體管特征。對ASML而言，Hyper-NA技術(shù)還能推動整體EUV平臺，改善成本和交貨時間。

不過，Hyper-NA EUV也遇到新挑戰(zhàn)，如光阻劑要更薄。正如IMEC圖案化項目總監(jiān)Kurt Ronse所言，High-NA EUV應(yīng)可包括2~1.4納米節(jié)點，再到1~0.7納米節(jié)點，之后由Hyper-NA EUV接續(xù)。

2022年接受媒體采訪時，Martin van den Brink表示，ASML研究Hyper-NA EUV主要目標是提出智慧解決方案，成本和可制造性方面都保持可控。Martin van den Brink擔心成本和可制造性代價可能高得驚人，如果制造成本成長速度與High-NA EUV一樣，商業(yè)化從經(jīng)濟面看幾乎不可行。

不過Martin van den Brink 2023年再談到Hyper-NA EUV時，似乎更有信心，認為Hyper-NA EUV是機會，成為2030年后新愿景。Hyper-NA EUV比High-NA EUV雙重曝光的成本更低，也為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來新機會。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)