·基于1b 32Gb單片，實現(xiàn)了256GB的現(xiàn)有最高容量DDR5服務器模組，完成與英特爾Xeon 6平臺的兼容性驗證
·“以此證實全球最高水平的高容量DDR5模組技術能力”
·“作為全方位面向AI的存儲器創(chuàng)造者，將積極滿足客戶需求”

2025年12月18日，SK海力士宣布，將基于第五代10納米級（1b）32Gb單片的256GB DDR5 RDIMM*高容量服務器DRAM模組應用于英特爾®至強®6平臺（Intel®Xeon®6 platform），業(yè)界首次通過了英特爾®數(shù)據(jù)中心認證（Intel® Data Center Certified）。

此次認證在位于美國的英特爾先進數(shù)據(jù)中心開發(fā)實驗室（Advanced Data Center Development Laboratory）完成。SK海力士經(jīng)過數(shù)次的全方位評估，證實其產(chǎn)品與Xeon平臺相結合時具備可靠的性能、兼容性和品質。公司此前已于今年1月獲得了基于第四代10納米級（1a）16Gb的256GB產(chǎn)品認證。

SK海力士表示：“此次率先完成與引領服務器CPU市場的英特爾最新服務器平臺的兼容性驗證，證明公司的高容量DDR5模組技術已達到全球頂尖水平。將以此為基礎，深化與全球主要數(shù)據(jù)中心企業(yè)的合作，及時應對激增的服務器客戶需求，鞏固下一代存儲器市場的領導地位。”

在下一代人工智能（AI）基礎設施中，存儲器正成為決定性能的核心要素。近期AI推理模型不僅需執(zhí)行簡單的回答生成，還需執(zhí)行復雜的邏輯思考過程，實時處理的數(shù)據(jù)量正在指數(shù)級增長。為了高速穩(wěn)定處理海量數(shù)據(jù)，必須具備高容量、高性能的存儲器，因此其市場需求也在激增。

SK海力士強調，該產(chǎn)品是符合市場需求的最佳解決方案。技術團隊表示：“搭載本產(chǎn)品的服務器與采用32Gb 128GB產(chǎn)品時相比，推理性能提高了16%。通過利用32Gb DRAM單芯片設計，其功耗較1a 16Gb 256GB產(chǎn)品降低約18%。”因此，公司預計注重功耗效率*的數(shù)據(jù)中心客戶將高度關注該產(chǎn)品。

SK海力士DRAM產(chǎn)品規(guī)劃擔當李相權副社長表示：“通過此次認證，公司鞏固了在DDR5服務器DRAM市場的主導地位，也快速應對了客戶的要求。作為全方位面向AI的存儲器創(chuàng)造者，將積極應對高性能、低功耗、高容量存儲器需求的增長，致力于滿足客戶要求。”

英特爾公司平臺架構（Platform Architecture）副總裁Dimitrios Ziakas表示：“雙方緊密合作顯著提升了技術成熟度，由此取得了良好成果，也為存儲器技術的發(fā)展做出了貢獻。高容量模組將有效應對AI工作負載（Workload）激增需求，大幅提升數(shù)據(jù)中心客戶所需的性能和效率。”

* 寄存雙列直插式內存模組（RDIMM, Registered Dual In-line Memory Module）：在存儲器模組的內存控制器與DRAM芯片之間增加可中繼地址、命令信號的寄存器（Register）或時鐘緩沖器（Buffer），適用于服務器和工作站的DRAM模組。

* 功耗效率：一定單位功率每秒可處理的數(shù)據(jù)容量指標。