近日，新型ReRAM存儲器研發(fā)企業(yè)燕芯微宣布完成近億元天使輪融資，本輪融資由領(lǐng)航新界領(lǐng)投，燕緣創(chuàng)投、考拉基金、思瑞浦旗下芯陽基金、華宇科創(chuàng)投、佰維存儲等機(jī)構(gòu)共同戰(zhàn)略投資。

新型 ReRAM（Resistive Random-Access Memory，阻變存儲器）是一種基于電阻變化實現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲的非易失性存儲器。

與傳統(tǒng)的閃存（Flash）、DRAM 等存儲器相比，ReRAM 具有顯著優(yōu)勢：其存儲單元結(jié)構(gòu)簡單，通常由電極層和功能介質(zhì)層構(gòu)成，通過施加電壓使介質(zhì)層發(fā)生電阻態(tài)改變（如從高阻態(tài)變?yōu)榈妥钁B(tài)，或反之）來記錄 0 和 1，實現(xiàn)數(shù)據(jù)的寫入與讀取；讀寫速度快，接近 DRAM 的水平，遠(yuǎn)高于閃存；擦寫次數(shù)多，耐久性強，且功耗較低，在待機(jī)狀態(tài)下幾乎不消耗能量。

ReRAM 的應(yīng)用前景廣泛，可用于消費電子、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能、自動駕駛等領(lǐng)域，例如作為移動設(shè)備的高速存儲芯片提升運行效率，或在邊緣計算設(shè)備中實現(xiàn)低功耗的數(shù)據(jù)存儲與快速處理。