近日，NEO Semiconductor宣布，推出全球首款用于AI芯片的超高帶寬內(nèi)存（X-HBM）架構(gòu)。

X-HBM基于NEO專有的3D X-DRAM架構(gòu)，突破了長期以來帶寬和密度方面的限制，代表了內(nèi)存技術(shù)的重大飛躍。相比之下，仍在開發(fā)中、預(yù)計將于2030年左右上市的HBM5預(yù)計僅支持4K位數(shù)據(jù)總線和每芯片40Gbit的容量。

韓國科學(xué)技術(shù)院(KAIST)最近的一項研究預(yù)測，即使是預(yù)計于2040年左右上市的HBM8，也只能提供16K位總線和每芯片80Gbit的容量。相比之下，X-HBM提供32K位總線和每芯片512Gbit的容量，使AI芯片設(shè)計人員能夠繞過傳統(tǒng)HBM技術(shù)伴隨的長達(dá)十年的性能瓶頸。

據(jù)悉，X-HBM的帶寬是現(xiàn)有內(nèi)存技術(shù)的16倍，密度是現(xiàn)有內(nèi)存技術(shù)的10倍。

NEO Semiconductor指出，X-HBM旨在滿足生成式AI和高性能計算日益增長的需求，其32Kbit數(shù)據(jù)總線和單芯片高達(dá)512Gbit的存儲容量，帶來無與倫比的性能，顯著突破了傳統(tǒng)HBM的局限性，帶寬提升16倍，密度提升10倍。