近日，韓國媒體報道稱，三星或?qū)⑾蛴ミ_獨家供應(yīng)12層HBM3E。報道指出，英偉達最快將從9月開始大量購買三星電子的12層HBM3E，后者將向英偉達獨家供應(yīng)12層HBM3E。

據(jù)媒體報道，英偉達CEO黃仁勛近期在GTC 2024期間曾在三星電子12層HBM3E實物產(chǎn)品上留下了“黃仁勛認證（JENSEN APPROVED）”的簽名，這似乎也從側(cè)面印證了英偉達對三星HBM3E產(chǎn)品的認可。

資料顯示，HBM高帶寬存儲器全稱為“High Bandwidth Memory”，具有高帶寬、高容量、低延時與低功耗等優(yōu)勢。在人工智能發(fā)展浪潮下，AI大模型應(yīng)用的加速，推動高性能存儲器市場需求不斷增長。

據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，2023年HBM產(chǎn)值占比之于DRAM整體產(chǎn)業(yè)約8.4%，至2024年底將擴大至20.1%。集邦咨詢資深研究副總吳雅婷預(yù)估，截至2024年底，整體DRAM產(chǎn)業(yè)規(guī)劃生產(chǎn)HBM TSV的產(chǎn)能約為250K/m，占總DRAM產(chǎn)能（約1,800K/m）約14%，供給位元年成長約260%。

HBM3E：三大原廠你追我趕

自2014年全球首款硅通孔（TSV, Through Silicon Via）HBM產(chǎn)品問世以來，經(jīng)過近10年的發(fā)展，目前，HBM存儲器技術(shù)已經(jīng)迭代至HBM3E。

從原廠來看，HBM3E市場的競爭主要集中在美光（Micron）、SK海力士、及三星。據(jù)悉，上述三大廠商已分別于2023年7月底、8月中、10月初提供8hi（24GB）樣品。值得一提的是，今年以來，三大廠商在HBM3E的競爭方面更是你追我趕，均推出了最新的產(chǎn)品。

2月27日，三星宣布推出首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，而這也是三星目前為止容量最大的HBM產(chǎn)品，達36GB。三星指出，其已開始向客戶提供HBM3E 12H樣品，預(yù)計于今年下半年開始大規(guī)模量產(chǎn)。

3月初，美光宣布已開始量產(chǎn)其HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案。美光表示，英偉達H200 Tensor Core GPU將采用美光8層堆疊的24GB容量HBM3E內(nèi)存，并于2024年第二季度開始出貨。

3月19日，SK海力士宣布成功量產(chǎn)超高性能用于AI的存儲器新產(chǎn)品HBM3E，實現(xiàn)了全球首次向客戶供應(yīng)現(xiàn)有DRAM最高性能的HBM3E。

集邦咨詢認為，自2024年起，市場關(guān)注焦點將由HBM3轉(zhuǎn)向HBM3e，預(yù)計下半年將逐季放量，并逐步成為HBM市場主流。

據(jù)集邦咨詢調(diào)查，2024年第一季由SK海力士率先通過驗證，美光緊跟其后，并于第一季底開始遞交HBM3e量產(chǎn)產(chǎn)品，以搭配計劃在第二季末鋪貨的NVIDIA H200。三星由于遞交樣品的時程較其他兩家供應(yīng)商略晚，預(yù)計其HBM3e將于第一季末前通過驗證，并于第二季開始正式出貨。由于三星HBM3的驗證已經(jīng)有了突破，且HBM3e的驗證若無意外也即將完成，這也意味著該公司的出貨市占于今年末將與SK海力士拉近差距。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)