進入2023年第四季度,隨著原廠減產(chǎn)效應(yīng)逐漸奏效,加上部分應(yīng)用市場需求持續(xù)強勁,存儲器市場DRAM與NAND Flash價格迎來全面上漲,漲勢有望延續(xù)至明年第一季度。
全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示,第四季Mobile DRAM合約價季漲幅預(yù)估將擴大至13~18%,NAND Flash方面,eMMC、UFS第四季合約價漲幅約10~15%。展望2024年第一季,預(yù)估整體存儲器的漲勢將延續(xù),其中Mobile DRAM及NAND Flash(eMMC、UFS)合約價仍會續(xù)漲,漲幅則視后續(xù)原廠是否維持保守的投產(chǎn)策略,以及終端是否有實質(zhì)買氣支撐而定。
經(jīng)歷過“寒冬”的存儲器市場正在逐漸釋放暖意,除了漲價之外,業(yè)界預(yù)估以下因素也將持續(xù)推動存儲器市場轉(zhuǎn)好。
據(jù)外媒 Wccftech 報道,2024 年流行趨勢之一是終端 AI,現(xiàn)內(nèi)建于多款芯片組,如 Snapdragon 8 Gen 3、天璣 9300 和 Exynos 2400。有AI功能的智能手機需要更多內(nèi)存,內(nèi)建AI功能的Android手機內(nèi)存容量至少將達到20GB RAM。
8GB RAM 雖仍是 Android 智能手機標(biāo)準(zhǔn),但市場上已經(jīng)出現(xiàn)比多數(shù)筆電或 PC更高內(nèi)存的手機,雖還沒成為標(biāo)配。業(yè)界指出,為了讓將來設(shè)備 AI 影像功能順利執(zhí)行,Android 手機需要至少 12GB RAM,加上 AI 應(yīng)用及其他功能,手機需要超過20GB RAM才能流暢運作。
考慮到多家 Android 手機商正持續(xù)投資 AI,2024 年AI將成為設(shè)備重點。因此,業(yè)界認為RAM 要求更高后,硬件規(guī)格對現(xiàn)代AI設(shè)備來說比以往都更重要。
業(yè)界認為,隨著DDR5價格向下,原廠良率不斷提升,未來DDR5市場需求將明顯成長。
DDR5作為高附加值DRAM芯片,正持續(xù)受到大廠青睞。今年10月美光科技宣布推出基于1β技術(shù)的DDR5內(nèi)存,速率高達 7200 MT/s,現(xiàn)已面向數(shù)據(jù)中心及 PC 市場的所有客戶出貨。近期,美光又帶來了采用32Gb芯片的128GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存,該系列內(nèi)存具有高達 8000 MT/s 的速度,適用于服務(wù)器和工作站平臺。該款芯片同樣采用美光的1β 技術(shù),能源效率提高達24%,延遲降低高達16%。此外,美光計劃2024年開始推出速度為4800 MT/s、5600 MT/s 和 6400 MT/s 型號,未來將推出 8000 MT/s 的型號。
三星方面,據(jù)業(yè)內(nèi)人士透露,三星內(nèi)部正在考慮擴大DDR5生產(chǎn)線。鑒于DDR5的高價值及其在PC和服務(wù)器市場的采用,今年基本上被視為“DDR5的大規(guī)模采用年”。
與DDR5一樣,HBM作為高附加值DRAM芯片,今年也受到市場極大關(guān)注。AI大勢之下,HBM市場需求高漲,而原廠產(chǎn)能供不應(yīng)求,HBM擴產(chǎn)潮開啟。
集邦咨詢調(diào)查顯示,展望2024年,基于各原廠積極擴產(chǎn)的策略,HBM供需比(Sufficiency Ratio)有望獲改善,預(yù)估將從2023年的-2.4%,轉(zhuǎn)為0.6%。
集邦咨詢認為,隨著AI熱潮帶動AI芯片需求,對HBM需求量在2023年與2024年也隨之提升,促使原廠也紛紛加大HBM產(chǎn)能,展望2024年,HBM供給情況可望大幅改善。而以規(guī)格而言,伴隨AI芯片需要更高的效能,HBM主流也將在2024年移轉(zhuǎn)至HBM3與HBM3e。整體而言,在需求位元提高以及HBM3與HBM3e平均銷售價格高于前代產(chǎn)品的情形下,2024年HBM營收可望有顯著的成長。
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封面圖片來源:拍信網(wǎng)