全球存儲(chǔ)器芯片龍頭三星電子將于未來(lái)三年斥資70億美元，擴(kuò)大西安廠區(qū)儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash）產(chǎn)能，增幅約67%，新廠預(yù)計(jì)本月底動(dòng)土。

這是三星去年宣布增產(chǎn)DRAM之后，再次在存儲(chǔ)器芯片領(lǐng)域砸下重金擴(kuò)產(chǎn)，為全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)再次投下一顆震撼彈。

另東芝、美光等NAND芯片大廠也都同步擴(kuò)充產(chǎn)能，以及紫光集團(tuán)旗下長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)能明年大舉開(kāi)出，都將牽動(dòng)未來(lái)報(bào)價(jià)走勢(shì)，市場(chǎng)高度關(guān)注。

三星位于西安的存儲(chǔ)器廠，目前主力產(chǎn)品全為NAND Flash。三星規(guī)劃，將在本月底舉行新廠動(dòng)土儀式，新廠完成后，西安NAND Flash月產(chǎn)能將由目前的12萬(wàn)片增至20萬(wàn)片，增幅67%。

三星西安NAND Flash生產(chǎn)線，是三星極為重要的生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)，這項(xiàng)擴(kuò)建案一度因韓國(guó)部屬薩德飛彈系統(tǒng)事件，中國(guó)對(duì)韓國(guó)實(shí)施經(jīng)濟(jì)制裁，導(dǎo)致韓國(guó)政府一度要求三星重新考慮在西安的投資，并以在韓國(guó)投資為優(yōu)先而出現(xiàn)波折，但現(xiàn)在則順利進(jìn)行。

三星當(dāng)時(shí)為回應(yīng)韓國(guó)政府的期許，也決定在韓國(guó)啟動(dòng)晶圓代工事業(yè)和DRAM的投資，包括改裝韓國(guó)華城廠16號(hào)線，將原本生產(chǎn)2D NAND Flash改生產(chǎn)DRAM。另平澤廠也決定打造新DRAM產(chǎn)線，第一階段產(chǎn)能預(yù)定下半年開(kāi)出。

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