三星電子制程領(lǐng)先，率先量產(chǎn)18納米DRAM，把同業(yè)拋在腦后。競爭對手美光(Micron)和SK海力士(SK Hynix)不甘示弱，紛紛砸錢要追上三星。

外媒報道，三星是DRAM龍頭，制程領(lǐng)先對手1~2年，2016年下半年首先量產(chǎn)18納米DRAM，計劃今年下半年推進(jìn)至15納米。研究機(jī)構(gòu)估計，今年底為止，三星打算把18納米DRAM的生產(chǎn)比重，提高至30%。業(yè)界人士說，三星會以利潤優(yōu)先，不會擴(kuò)產(chǎn)搶市，打亂價格。

三星一馬當(dāng)先，DRAM第三大廠美光拼命追趕，計劃未來兩三年砸下20億美元，研發(fā)13納米DRAM制程。美光在日本廣島廠增設(shè)無塵室設(shè)備，并購買了多項高價生產(chǎn)儀器。進(jìn)入13納米制程之后，同一片晶圓能分割成更多芯片，生產(chǎn)力將提高20%。美光已于今年第一季量產(chǎn)18納米DRAM。

與此同時，SK海力士也準(zhǔn)備在今年下半年量產(chǎn)電腦用的18納米DRAM，接著再投入移動設(shè)備用的18納米DRAM。SK海力士會優(yōu)先提高21納米制程良率，之后轉(zhuǎn)進(jìn)20納米、再轉(zhuǎn)向18納米。SK海力士人員透露，該公司正在研發(fā)1y DRAM制程，但是還不確定量產(chǎn)時間。

在此之前，三星電子的韓國華城廠(Hwaseong)，即將擴(kuò)產(chǎn)的傳聞延燒許久。最新消息顯示，三星決定投資3萬億韓元(約26.4億美元)提升DRAM產(chǎn)能。不過由于未來11線不再生產(chǎn)DRAM，產(chǎn)能一增一減之下，應(yīng)該不至于沖擊DRAM供給。

韓媒曾報導(dǎo)，業(yè)界消息指出，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門將擴(kuò)充華城廠17線的DRAM產(chǎn)能，生產(chǎn)10納米等級的DRAM。三星已告知設(shè)備廠擴(kuò)產(chǎn)計劃，并在三月份向部分業(yè)者下單，估計投資金額約為2.5萬億~3萬億韓元，完工后每月增產(chǎn)3.5萬片300公厘的硅晶圓，預(yù)定今年下半初步生產(chǎn)。

三星華城廠為綜合晶圓廠，17線生產(chǎn)DRAM、11線生產(chǎn)圖像傳感器和DRAM、16-2線生產(chǎn)3D NAND Flash、S3線生產(chǎn)10納米系統(tǒng)半導(dǎo)體。如今11線將轉(zhuǎn)為全數(shù)生產(chǎn)圖像傳感器CMOS和CIS，不再生產(chǎn)DRAM。三星為了彌補(bǔ)產(chǎn)能損失，決定擴(kuò)大17線的DRAM產(chǎn)能。相關(guān)人士表示，此一投資是為了彌補(bǔ)11線產(chǎn)能縮減和制程微縮損失，對DRAM供需幾乎沒有影響。

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