專為高效能AI（人工智能）處理器與服務(wù)器打造的3D堆疊DRAM，傳三星計劃增產(chǎn)三十倍。

3D堆疊DRAM采用硅穿孔（Through Silicon Via）技術(shù)，可將DRAM芯片垂直堆疊，由于進出通道加寬，傳輸速度也大幅加快。

韓國媒體ETnews引述產(chǎn)業(yè)消息報導(dǎo)指出，三星最近向設(shè)備供應(yīng)商訂購新型20臺熱壓接合封裝機（TCB），這是硅穿孔技術(shù)的必要設(shè)備，且按理來說，新機具產(chǎn)出是原有機臺的八倍。

新TCB機臺今年底可就定位，預(yù)估屆時三星硅穿孔制程產(chǎn)能將可增加三十倍之多。

英特爾與Nvidia現(xiàn)均朝AI積極發(fā)展，也都是三星潛在客戶群。除此之外，日前有消息指出蘋果正在開發(fā)AI專屬芯片，將用以處理臉部與語音識別等工作，可應(yīng)用于iPhone與iPad等裝置，三星顯然已嗅到這股AI存儲器的新商機就在不遠處。

如需獲取更多資訊，請關(guān)注全球半導(dǎo)體觀察官網(wǎng)（www.0318hs.cn）或搜索微信公眾賬號（全球半導(dǎo)體觀察）。