先進(jìn)封裝迎來(lái)最強(qiáng)風(fēng)口
內(nèi)閃存產(chǎn)品合約價(jià)預(yù)測(cè)
AI NB滲透率將成長(zhǎng)至20.4%
國(guó)內(nèi)又一批集成電路基金落地
三星、美光擴(kuò)產(chǎn)
存儲(chǔ)廠商爭(zhēng)奪GDDR7話語(yǔ)權(quán)

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先進(jìn)封裝迎來(lái)最強(qiáng)風(fēng)口

6月21日，日月光投控旗下日月光半導(dǎo)體日宣布，與日月光旗下宏璟建設(shè)在高雄興建K28廠，預(yù)計(jì)2026年第四季度完工，重點(diǎn)布局先進(jìn)封裝終端測(cè)試以及人工智能（AI）芯片高性能計(jì)算。

除了日月光，近期業(yè)界關(guān)于先進(jìn)封裝的動(dòng)態(tài)不斷，美光、三星、臺(tái)積電等大廠加碼擴(kuò)產(chǎn)，與此同時(shí)，英偉達(dá)、AMD、英特爾先進(jìn)封裝產(chǎn)能吃緊，SK海力士、三星、美光2025年HBM產(chǎn)能基本售罄；臺(tái)積電先進(jìn)封裝產(chǎn)能被訂光，英偉達(dá)、AMD一路包到明年等。

此外，也有關(guān)于先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新突破的，如臺(tái)積電近期曬出最新先進(jìn)封裝技術(shù)SoW，三星、SK 海力士推進(jìn)移動(dòng)內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)量產(chǎn)等等。本文將針對(duì)行業(yè)最新先進(jìn)封裝技術(shù)進(jìn)行科普...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《再建一座新廠，先進(jìn)封裝迎來(lái)最強(qiáng)風(fēng)口！》

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內(nèi)閃存產(chǎn)品合約價(jià)預(yù)測(cè)

根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢(xún)最新調(diào)查顯示，第三季DRAM均價(jià)將持續(xù)上揚(yáng)，價(jià)格漲幅達(dá)8~13%；NAND Flash 供過(guò)于求比例(Sufficiency Ratio)上升至2.3%，均價(jià)(Blended Price)漲幅收斂至季增5-10%。

具體來(lái)看，DRAM方面，PC DRAM第三季價(jià)格預(yù)估季增3-8%；Server DRAM第三季價(jià)格預(yù)估季增8-13%；Mobile DRAM第三季價(jià)格預(yù)估季增3-8%；Graphics DRAM第三季價(jià)格預(yù)估季增3-8%...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《服務(wù)器支撐下半年需求，預(yù)估DRAM價(jià)格第三季漲幅達(dá)8-13%》

NAND Flash方面，PC Client SSD第三季合約價(jià)預(yù)估季增3-8%；Enterprise SSD合約價(jià)格上漲幅度收斂至季增15-20%；UFS合約價(jià)漲幅將落在季增3-8%...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《各類(lèi)NAND Flash產(chǎn)品合約價(jià)預(yù)測(cè)：Q3 Enterprise SSD價(jià)格季增15-20%》

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AI NB滲透率將成長(zhǎng)至20.4%

2025年隨著AI應(yīng)用完善、能處理復(fù)雜任務(wù)、提供更好的用戶體驗(yàn)并提高生產(chǎn)力，將帶動(dòng)消費(fèi)者對(duì)于更智能、更高效的終端設(shè)備需求迅速增長(zhǎng)，AI NB滲透率將快速成長(zhǎng)至20.4%的水位，預(yù)期AI NB浪潮亦將帶動(dòng)DRAM Content增長(zhǎng)。

TrendForce集邦咨詢(xún)預(yù)估，NB DRAM平均搭載容量將自2023年的10.5GB年增12%至2024年的11.8GB。展望2025年，隨AI NB滲透率自2024年的1%提升至2025年的20.4%，且AI NB皆搭載16GB以上DRAM，將至少帶動(dòng)整體平均搭載容量增長(zhǎng)0.8GB，增幅至少為7%...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《云端CSPs將擴(kuò)大邊緣AI發(fā)展，帶動(dòng)2025年NB DRAM平均搭載容量增幅至少達(dá)7%》

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國(guó)內(nèi)又一批集成電路基金落地

近期，國(guó)內(nèi)又有多個(gè)集成電路相關(guān)產(chǎn)業(yè)基金成立。據(jù)無(wú)錫博報(bào)消息，6月21日，江蘇召開(kāi)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)母基金啟動(dòng)運(yùn)行暨首批產(chǎn)業(yè)專(zhuān)項(xiàng)基金組建新聞發(fā)布會(huì)。會(huì)上，總計(jì)規(guī)模100億元的3支基金落地?zé)o錫，涉及2個(gè)地標(biāo)產(chǎn)業(yè)、5個(gè)未來(lái)產(chǎn)業(yè)，基金包括江蘇省集成電路（無(wú)錫）產(chǎn)業(yè)專(zhuān)項(xiàng)母基金、無(wú)錫未來(lái)產(chǎn)業(yè)天使基金等。

據(jù)企查查信息，6月20日，浙江富浙紹芯集成電路產(chǎn)業(yè)基金合伙企業(yè)（有限合伙）成立，出資額50億元，經(jīng)營(yíng)范圍包含創(chuàng)業(yè)投資（限投資未上市企業(yè)）；股權(quán)投資...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《超百億元！國(guó)內(nèi)又一批集成電路基金落地》

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三星、美光擴(kuò)產(chǎn)

近期，行業(yè)消息顯示，為了應(yīng)對(duì)人工智能（AI）熱潮帶動(dòng)存儲(chǔ)芯片需求提升，三星電子及美光均擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片產(chǎn)能。

三星方面，外媒消息顯示，三星電子決定重啟新平澤工廠（P5）基礎(chǔ)建設(shè)，預(yù)計(jì)最快將于2024第三季重啟建設(shè)，完工時(shí)間推估為2027年4月，不過(guò)實(shí)際投產(chǎn)時(shí)間可能更早。

美光則正在美國(guó)愛(ài)達(dá)荷州博伊西的總部建設(shè)HBM測(cè)試產(chǎn)線與量產(chǎn)線，并首次考慮在馬來(lái)西亞生產(chǎn)HBM，以滿足人工智能熱潮帶來(lái)的更多需求...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《三星、美光兩家存儲(chǔ)大廠擴(kuò)產(chǎn)！》

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存儲(chǔ)廠商爭(zhēng)奪GDDR7話語(yǔ)權(quán)

AI人工智能應(yīng)用持續(xù)推動(dòng)存儲(chǔ)器市場(chǎng)前行，其中HBM（高帶寬內(nèi)存）是當(dāng)之無(wú)愧的“寵兒”，不斷吸引存儲(chǔ)器廠商加大資本支出與擴(kuò)產(chǎn)。與此同時(shí)，存儲(chǔ)器市場(chǎng)新的力量已經(jīng)悄然形成，GDDR7有望接過(guò)HBM大棒，在AI浪潮下繼續(xù)推動(dòng)存儲(chǔ)器市場(chǎng)穩(wěn)步向前。

基于技術(shù)的高門(mén)檻特性，HBM市場(chǎng)份額牢牢掌控在SK海力士、三星與美光三家存儲(chǔ)器大廠手中。同時(shí)，隨著AI效應(yīng)不斷發(fā)酵，存儲(chǔ)器大廠的競(jìng)爭(zhēng)也正從HBM拓展到GDDR領(lǐng)域。今年以來(lái)，三家大廠陸續(xù)對(duì)外表態(tài)開(kāi)始提供GDDR7內(nèi)存樣品，預(yù)計(jì)部分廠商GDDR7有望于今年第四季到明年第一季度量產(chǎn)...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《HBM之后存儲(chǔ)器市場(chǎng)掀起新風(fēng)暴》

封面圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)