Q3服務(wù)器出貨預(yù)估
NAND技術(shù)迎突破
半導(dǎo)體項(xiàng)目盤點(diǎn)
第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)局激烈
又一代工廠商獲資助

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Q3服務(wù)器出貨預(yù)估

根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新報(bào)告指出，今年整體環(huán)境雖受AI預(yù)算影響，導(dǎo)致全年通用型服務(wù)器(general server)成長(zhǎng)不如預(yù)期，但近期相關(guān)零部件，如基板管理控制器(BMC, Board Management Controller)、新款CPU等，基于服務(wù)器新平臺(tái)的導(dǎo)入，OEMs與CSPs均出現(xiàn)不錯(cuò)的采購動(dòng)力；此外，在ODMs供應(yīng)鏈的調(diào)查也發(fā)現(xiàn)，服務(wù)器出貨除第一季呈現(xiàn)淡季外，第二季與第三季有呈現(xiàn)季增的趨勢(shì)。

從供應(yīng)鏈角度來看，OEMs與CSPs在CPU準(zhǔn)備上也較以往積極，除Intel Sapphire Rapids與Emerald Rapids均呈現(xiàn)季增外，AMD Bergamo與Genoa也受惠云端動(dòng)能加大拉貨力道。在BMC部分，更得利于量產(chǎn)在即的GB200、中系業(yè)者備貨動(dòng)能提升，紛紛于第二季底與第三季拉大訂單規(guī)模。TrendForce集邦咨詢預(yù)期，DRAM位元出貨量將優(yōu)于原本預(yù)期，且DDR5占比將在第三季提升至60%大關(guān)...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《上游供應(yīng)鏈庫存回補(bǔ)及需求增溫，預(yù)估第三季服務(wù)器出貨增幅4-5%》

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NAND技術(shù)迎突破

AI人工智能正推動(dòng)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)強(qiáng)勁發(fā)展，AI應(yīng)用帶來了海量數(shù)據(jù)增長(zhǎng)，存儲(chǔ)容量與性能需求大幅提升，NAND Flash技術(shù)重要性不斷凸顯。因此，存儲(chǔ)大廠積極布局以HBM為代表的DRAM產(chǎn)業(yè)的同時(shí)，也并未忽視NAND Flash的發(fā)展。

最新消息顯示，三星、鎧俠兩家大廠NAND技術(shù)迎來新進(jìn)展。近日韓媒The Elec報(bào)道，三星正在其第九代V-NAND“金屬布線”（metal wiring）環(huán)節(jié)中首次使用鉬（Mo）材料。

7月3日，鎧俠宣布已經(jīng)開始使用第八代BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)，向客戶提供2Tb BiCS8 FLASH QLC閃存樣品，該款產(chǎn)品在業(yè)內(nèi)擁有最大容量，有望推動(dòng)包括人工智能在內(nèi)的多個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域成長(zhǎng)...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《存儲(chǔ)大廠NAND技術(shù)迎突破》

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半導(dǎo)體項(xiàng)目盤點(diǎn)

據(jù)全球半導(dǎo)體觀察不完全統(tǒng)計(jì)，6月共有近50個(gè)半導(dǎo)體相關(guān)項(xiàng)目傳來簽約、開工、封頂、竣工/投產(chǎn)等新動(dòng)態(tài)。

根據(jù)圖表，項(xiàng)目主要涵蓋第三代半導(dǎo)體碳化硅、氮化鎵，先進(jìn)封裝、半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體設(shè)備、MEMS傳感器、IGBT等細(xì)分領(lǐng)域，其中不乏有很多明星企業(yè)的身影，如日月光、英飛凌、天岳先進(jìn)、容大感光、滬硅產(chǎn)業(yè)、晶盛機(jī)電、士蘭微、長(zhǎng)飛先進(jìn)、芯聯(lián)集成等。

從已披露的項(xiàng)目投資金額上看，百億元項(xiàng)目共計(jì)6個(gè)，分別是70億歐元（約544.24億元人民幣）的英飛凌馬來西亞居林的8英寸碳化硅（SiC）晶圓廠、預(yù)計(jì)超過200億元的長(zhǎng)飛先進(jìn)武漢基地...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《近50個(gè)，從半導(dǎo)體項(xiàng)目看產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)》

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第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)局激烈

目前，第三代半導(dǎo)體是全球戰(zhàn)略競(jìng)爭(zhēng)新的制高點(diǎn)，也是各地區(qū)的重點(diǎn)扶持行業(yè)，意法半導(dǎo)體、英飛凌、安世半導(dǎo)體、三安光電等頭部廠商順勢(shì)而上，加速布局第三代半導(dǎo)體，市場(chǎng)戰(zhàn)火已燃，一場(chǎng)群雄逐鹿之戰(zhàn)正在上演。

業(yè)界認(rèn)為，面對(duì)下游行業(yè)需求的爆發(fā)，提升工藝及良率，擴(kuò)大晶圓產(chǎn)能是行業(yè)當(dāng)務(wù)之急。

第三代半導(dǎo)體產(chǎn)能供應(yīng)緊張，三安/意法等大廠在前線沖鋒。據(jù)悉，近期三安光電、意法半導(dǎo)體聯(lián)手布局的8英寸碳化硅器件合資制造廠主設(shè)備進(jìn)場(chǎng)，這標(biāo)志著重慶三安襯底工廠通線，即將進(jìn)入倒計(jì)時(shí)階段...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《搶奪賽位，第三代半導(dǎo)體戰(zhàn)局激烈》

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又一代工廠商獲資助

當(dāng)?shù)貢r(shí)間7月1日，美國(guó)商務(wù)部宣布與MEMS代工廠Rogue Valley Microdevices（以下簡(jiǎn)稱“RVM”）達(dá)成初步條款，支持其建設(shè)新晶圓制造廠。

而此前當(dāng)?shù)貢r(shí)間6月26日，半導(dǎo)體材料廠商Entegris宣布，根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》而獲得美國(guó)政府7500萬美元的直接補(bǔ)助。

據(jù)悉，美國(guó)商務(wù)部已與RVM簽署了一份不具約束力的初步條款備忘錄 (PMT)，后者將根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》獲得670萬美元的直接補(bǔ)助，而這也是首家根據(jù)《芯片與科學(xué)法案》而獲得補(bǔ)助的MEMS代工廠...詳情請(qǐng)點(diǎn)擊《建設(shè)300mm晶圓廠，又一代工廠商獲資助》

封面圖片來源：拍信網(wǎng)