為了獲取高容量應(yīng)用市場的采納，未來NAND Flash業(yè)者的競爭重點(diǎn)，將轉(zhuǎn)向降低每bit成本發(fā)展，multi-bit/cell 將是首選方案。對新進(jìn)者而言專利、資金、multi-bit/cell NAND Flash制程良率，將是主要的進(jìn)入障礙，未來投資新的NAND Flash 12”晶圓廠將會(huì)朝向大產(chǎn)能(100K wafers/月以上)的方向發(fā)展，雖然對生產(chǎn)commodity 型IC的規(guī)模經(jīng)濟(jì)效益大有幫助，但所需投資金額及后續(xù)研發(fā)先進(jìn)制程經(jīng)費(fèi)可能高達(dá)30至50億美元，雖然DRAM制程及NOR設(shè)計(jì)原理，以及DRAM及NOR生產(chǎn)設(shè)備與NAND Flash的相似度均高，但DRAM及NOR廠商而言，multi-bit/cell NAND Flash制程仍將需要一段學(xué)習(xí)曲線克服瓶頸，所以對善于降低內(nèi)存IC制程生產(chǎn)成本的新進(jìn)廠商而言，就可以尋求與具技術(shù)能力，但生產(chǎn)成本高的廠商合資生產(chǎn)或合作代工的機(jī)會(huì)，以專業(yè)分工合作模式，分別負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)研發(fā)與制程改善來共同降低每bit成本，以及commodity 型IC投資風(fēng)險(xiǎn)的戰(zhàn)略目標(biāo)。

另外，NAND Flash廠商在成本競爭上，也正致力于朝在相同制程技術(shù)下，設(shè)計(jì)更小晶粒尺寸努力，以超越同業(yè)的gross die產(chǎn)出量，此一發(fā)展對高容量micro型記憶卡的發(fā)展也有很大的影響，微縮晶粒尺寸也將決定其能否封入micro型記憶卡中，以及需選用的封裝方式(COB or MCP)，當(dāng)然這也會(huì)影響產(chǎn)品成本的優(yōu)劣勢。

以往IC廠商透過12”晶圓取代8”晶圓及提升制程技術(shù)到新的世代來降低晶粒單位成本，實(shí)務(wù)上平均每年可使晶粒單位成本降低30%左右，目前NAND Flash已取代DRAM做為內(nèi)存IC廠的先進(jìn)制程驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品，以每bit成本的觀點(diǎn)來看，2-bit/cell NAND Flash理論上可比 1 bit/cell (SLC) NAND Flash 降低30%以上的單位生產(chǎn)成本，若考慮實(shí)務(wù)上2-bit/cell占總產(chǎn)能比重，及其制程難度需額外增加的成本，以及產(chǎn)出良率較低等因素，預(yù)估未來每年將可使廠商降低NAND Flash單位生產(chǎn)成本達(dá)40至45%以上，未來，若4-bit/cell NAND Flash能在制程技術(shù)獲得突破，隨著4-bit/cell NAND Flash占總產(chǎn)能比重更形提高，預(yù)估未來每年的NAND Flash單位成本將可降低到55至60%以上，但4-bit/cell NAND Flash無可避免初期在其使用壽命、讀寫速度及生產(chǎn)良率上都將不如1-bit/cell或2-bit/cell NAND Flash，預(yù)期這種4-bit/cell新制程的成本效益發(fā)揮，可能要等到2008年之后才會(huì)比較明顯。

隨著廠商正由2-bit/cell朝向 4-bit/cell技術(shù)發(fā)展，未來市場也將分為MLC與NROM兩大架構(gòu)的聯(lián)盟集團(tuán)，相關(guān)業(yè)者多有在兩種架構(gòu)上尋求制程上的突破，預(yù)期2H07起兩種4-bit/cell 架構(gòu)將展開新一輪的成本與性能競爭，另外相關(guān)NAND Flash大廠也開始朝垂直整合方向發(fā)展，來投資或購并硅晶圓廠，封測廠或記憶卡通路，以強(qiáng)化各陣營的競爭力。

雖然廠商也不斷在研發(fā)兼具DRAM 及 Flash存取速度，與非揮發(fā)性可儲存優(yōu)點(diǎn)的新型內(nèi)存如： PRAM (Phase-change RAM)、MRAM (Magnetic RAM)、FRAM (Ferroelectric RAM)及RRAM (Resistance RAM)等，但以目前NAND Flash的發(fā)展進(jìn)度來看，未來將有機(jī)會(huì)突破30至35nm的現(xiàn)有制程瓶頸，而達(dá)到20至25nm的量級水平，未來就每bit成本優(yōu)勢、制程的成熟度與規(guī)模經(jīng)濟(jì)性而言，預(yù)期2010年以后這些新興內(nèi)存才有機(jī)會(huì)對NAND Flash 及 DRAM產(chǎn)生替代性的作用，但這些新產(chǎn)品短期內(nèi)將會(huì)如同NOR + NAND的整合型芯片一樣，仍可在MCP 模式或客制化芯片應(yīng)用上尋求其利基市場的商機(jī)。

目前NAND Flash已成為先進(jìn)半導(dǎo)體制程技術(shù)的推進(jìn)器，隨著IC的制程技術(shù)進(jìn)入30nm以下的尺度，微縮顯影制程的精確度及硅芯片與其封裝材料的電氣性質(zhì)，都將面臨物理極限的挑戰(zhàn)，業(yè)者也因此投入其它化合物或塑料半導(dǎo)體材料的研發(fā)，以因應(yīng)量子級世代的新挑戰(zhàn)。理論上講一種可操控組件，若能呈現(xiàn)0及1訊號來進(jìn)行二進(jìn)制的邏輯運(yùn)算及記憶功能的作用，便具有”computer”的概念，因此在2至22nm奈米技術(shù)領(lǐng)域所產(chǎn)生的量子或分子級computers，就可以選擇硅基晶體管以外的組件，來做為computer的核心操作元件，如carbon nanotube-based quantum computer、 DNA-based bio-computer及photon-based optical-computer等新方案便應(yīng)運(yùn)而生，其生產(chǎn)流程及產(chǎn)品效能與成本效益，都將不同于目前的硅基晶體管IC，因此未來部份4C電子產(chǎn)品也會(huì)代之以「微機(jī)電整合系統(tǒng)」(integrated Micro Electro-Mechanical System)的型態(tài)呈現(xiàn)，該系統(tǒng)將會(huì)包括電子、機(jī)械、光學(xué)、化學(xué)以及生物等不同材料的控制組件，但因業(yè)者這些創(chuàng)新構(gòu)想，在短期內(nèi)仍不具產(chǎn)業(yè)群聚效應(yīng)或完整中衛(wèi)體系的情況下，更多的商業(yè)化應(yīng)用可能要等到2010年之后才會(huì)漸漸的成熟。

Microsoft Vista OS企業(yè)版計(jì)劃在2006年11月上市，其新的功能ready boost 及 ready drive將與Intel的Robson技術(shù)及Hybrid HDD 架構(gòu)兩者相配合，以縮短PC的開機(jī)時(shí)間及提高HDD運(yùn)作效率與省電效益，可能會(huì)采用256MB至4GB的NAND Flash，做為cache的功能來達(dá)成該架構(gòu)的運(yùn)作所需，但NAND Flash的應(yīng)用型式將來可能會(huì)采用以on board 、daughter board、 USB drive 或 SSD等方案，應(yīng)用到不同廠家設(shè)計(jì)的PC上， Intel 計(jì)劃2007年4月推出新的NB PC Santa Rosa 平臺將會(huì)采用Robson技術(shù)，未來也會(huì)應(yīng)用到DT PC平臺上，同時(shí)主要HDD大廠也準(zhǔn)備推出其Hybrid HDD solution方案，以應(yīng)用到Vista OS上，這也將是2007年NAND Flash 新的應(yīng)用需求來源之一。

2007年起隨著電子廠商將陸續(xù)推出新的可攜式PCs (UMPC、handset PC、E-Book...)，同時(shí)NAND Flash成本也會(huì)進(jìn)一步下降，8至32GB SSD在這些產(chǎn)品應(yīng)用上也會(huì)逐漸提高，另外OLPC也可能采用1GB NAND Flash 做為主要儲存媒體，SSD可能會(huì)先應(yīng)用在可攜式4C整合型產(chǎn)品上，此外PMP業(yè)者在4Q06起，也將會(huì)把下載音樂訴求轉(zhuǎn)向下載影片與游戲，所以2007年新的PMP機(jī)種內(nèi)建NAND Flash將會(huì)達(dá)到8至16GB，這些都將是2007年NAND Flash應(yīng)用的新興動(dòng)力， Flash-based 可攜式游戲機(jī)及DV，也會(huì)在 2007年成為新的應(yīng)用需求來源，此外2007年更多新的高階多功能手機(jī)及PND (personal navigation device)也會(huì)需要更大的內(nèi)建NAND Flash或記憶卡容量(refer to Table 1)。

另外，隨著SD 2.0記憶卡在4Q06后將逐漸普及，容量將從目前的2GB突破到32GB，若加上版權(quán)保護(hù)機(jī)制，其耐震性及易攜易用的插卡式的特性，將使其成為未來content卡的理想儲存媒體。當(dāng)然合理的每bit成本仍是其普及化的關(guān)鍵，USB drive做為外接式小型儲存媒體，未來容量也會(huì)隨著NAND Flash成本下降，而進(jìn)一步提升到32GB以上，如同記憶卡一樣的特點(diǎn)，也將是未來content卡的理想媒體，無論是記憶卡、USB drive 或SSD，以32GB容量做為可攜式儲存媒體，即使在HDTV級影像的儲存應(yīng)用上也已足夠了，但關(guān)鍵都在成本是否比其它儲存媒體具競爭力，以目前NAND Flash制程技術(shù)發(fā)展進(jìn)程來看，32GB的產(chǎn)品要到2008年才可望漸漸成為市場的應(yīng)用主流之一，雖然未來其它新的應(yīng)用需求占整體NAND Flash需求比重將不斷提高，但DRAMeXchange預(yù)期2007年記憶卡及USB drive仍將占NAND Flash應(yīng)用需求60%以上 (refer to Figure 1)。