*By Cole Liu, Market Intelligence Team, DRAMeXchange

NROM技術(shù)在FLASH所扮演的腳色

NROM：電荷存取在氮化層Nitride

NROM技術(shù)的基本運(yùn)算是一個(gè)N型信道的MOSFET組件(Metal- Oxide-Semiconductor Field Transistor金屬-氧化層-半導(dǎo)體晶體管)，他的特別在于利用一層的氮化層Nitride來取代原本當(dāng)作閘極的多晶硅層，而氮化層上下被兩層薄的氧化層作絕緣阻隔有如三明治般夾在中間形成所謂的ONO，此ONO可將兩個(gè)電荷存取在Cell的兩側(cè)如圖1的Bit 1與Bit 2所示，即是一個(gè)晶體管cell可做存取兩個(gè)位Bits的使用。透過CHE（Channel Hot Electron injection）的方式來進(jìn)行程序化作業(yè)，而以HHET（Hot Hole Enhanced Tunneling）來進(jìn)行清除的作業(yè)。

應(yīng)用與優(yōu)勢(shì)

近年來可攜式消費(fèi)性電子產(chǎn)品市場(chǎng)成長(zhǎng)快速，對(duì)滿足需要內(nèi)建高密度嵌入式內(nèi)存的應(yīng)用產(chǎn)品的需求也日益強(qiáng)烈，有鑒于此，我們相信各DRAM廠在2005年會(huì)將部份產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到Flash上已得到更好的利潤(rùn)，猶如上禮拜我們的報(bào)告分析。因此除了Flash除了SLC ( Single Level Chell )和 MLC ( Multi Level Cell )的技術(shù)外，我們還是要提到同時(shí)可應(yīng)用到NOR與NAND上的NROM技術(shù)，再加上NROM的制程技術(shù)可以用制造DRAM的現(xiàn)有設(shè)備生產(chǎn)，無須額外的生產(chǎn)設(shè)備投資，因此每個(gè)晶圓的成本架構(gòu)與DRAM產(chǎn)品相似?？蓱?yīng)用的產(chǎn)品包含用于數(shù)字相機(jī)與PDA的SD卡、多媒體記憶卡、Compact-Flash-Cards與Memory Sticks..等等。在Table 1列出NROM、MLC、SLC這三種技術(shù)在成本、讀寫速度、兼容性與后續(xù)的瓶頸來做比較。在整個(gè)成本較低的情況下我們是看好他未來的潛力。