By Rickie Yang, Market Intelligence Team, DRAMeXchange

NAND Flash利潤(rùn)越好則有越多的產(chǎn)能配置

因?yàn)镈RAM和NAND Flash產(chǎn)品都可以用相同設(shè)備來(lái)制造，大部份的DRAM原廠如三星(Samsung)、海尼士(Hynix)、美光(Micron)、和英飛凌(Infineon)不僅制造DRAM芯片也制造NAND Flash芯片。根據(jù)我們MI系統(tǒng)中每項(xiàng)產(chǎn)品的8 '晶圓市值來(lái)看，在2003年底1G NAND Flash在0.12微米制程下每片8 '晶圓市值超過其它內(nèi)存產(chǎn)品二倍多。因此2004年在DRAM廠商積極地將產(chǎn)能移轉(zhuǎn)至利潤(rùn)較佳的NAND Flash產(chǎn)品或者研發(fā)NAND Flash量產(chǎn)技術(shù)。在產(chǎn)能移轉(zhuǎn)至NAND Flash產(chǎn)品及其它競(jìng)爭(zhēng)者進(jìn)入后，在2004年上半年1G NAND Flash現(xiàn)貨價(jià)很快的下滑，并在2004年下半年下跌至低于256Mb DDR DRAM的價(jià)格。

NAND Flash市場(chǎng)趨勢(shì)將影響DRAM供給。

在2004年第4季，我們注意到90奈米制程的2G NAND Flash產(chǎn)品對(duì)NAND Flash原廠呈現(xiàn)相當(dāng)誘人的獲利機(jī)會(huì)。我們可以預(yù)見到2005年DRAM原廠將會(huì)將更多產(chǎn)能逐漸移轉(zhuǎn)到2G NAND Flash。根據(jù)我們MI系統(tǒng)的數(shù)據(jù)顯示，2004年NAND Flash產(chǎn)能比重占NAND Flash和DRAM總產(chǎn)能約21%，我們預(yù)估2005年NAND Flash產(chǎn)能將達(dá)27%。對(duì)DRAM原廠而言，NAND Flash產(chǎn)品提供一個(gè)DRAM產(chǎn)能配置的替代方案?？偫ǘ裕瑸榱送暾姆治鯠RAM產(chǎn)業(yè)，我們必須關(guān)注使用相同產(chǎn)能的NAND Flash市場(chǎng)趨勢(shì)。