2025年剛開場，半導體設備領域仍消息頻頻：中電科48所碳化硅設備批量交付；芯達半導體前道涂膠顯影設備順利出廠；晶馳機電8英寸碳化硅設備開始交付；松瓷機電成功“長出”8英寸碳化硅單晶晶體；韓國晶圓檢測設備商Nextin在無錫設廠...

中電科48所碳化硅設備批量交付

1月9日，中國電科48所傳來捷報，其官微宣布立式氧化爐近日完成批量交付。該立式氧化爐是6-8英寸碳化硅功率器件及硅基集成電路制造的關鍵工藝設備，在半導體制造領域發(fā)揮著重要作用，主要用于高溫氧化及退火工藝。
在碳化硅功率器件制造中，氧化退火是至關重要的環(huán)節(jié)。中國電科48所的立式氧化爐通過氧化退火處理，能夠對碳化硅表面的氧化層結構進行優(yōu)化，形成均勻、高質量的SiO?柵氧化層。這不僅有助于提升器件的擊穿電壓，還能有效降低漏電流和噪聲，從而顯著提高器件的性能和可靠性。

同時，該工藝可以填補晶格缺陷，降低殘余應力，提高氧化物和晶體的結合質量，改善電學性能，對于碳化硅功率器件的整體性能和穩(wěn)定性的提升具有不可忽視的重要意義。而且在高溫環(huán)境下，碳化硅晶體中的原子會發(fā)生移動，進而減少晶格缺陷，使得其熱穩(wěn)定性和熱傳導性能得到提高，氧化退火還能進一步減少氧化物含量，增強碳化硅的耐熱性能。

在國內的碳化硅氧化爐細分市場中，除了中國電科48所之外，還有北方華創(chuàng)和拉普拉斯等實力企業(yè)。北方華創(chuàng)作為國內半導體設備領域的重要企業(yè)，其氧化類設備中的立式氧化爐主要應用于28nm及以上的集成電路、先進封裝、功率器件等領域，具有高效生產性能、高精度溫度控制性能、良好成膜均勻性能、先進顆?？刂萍夹g以及完整的工廠自動化接口等優(yōu)勢。

據了解，拉普拉斯是一家高效光伏電池片核心工藝設備及解決方案提供商，其半導體分立器件設備產品包括碳化硅基半導體器件用超高溫氧化爐和碳化硅基半導體器件用超高溫退火爐，目前正處于客戶導入和驗證階段，已完成向比亞迪、基本半導體的導入工作，在半導體分立器件設備業(yè)務上雖處于起步階段，但發(fā)展態(tài)勢良好。

芯達半導體前道涂膠顯影設備出廠

1月6日，芯達半導體設備（蘇州）有限公司（以下簡稱“芯達半導體”）半導體前道涂膠顯影機臺順利啟運出廠。

高端前道Track機臺是半導體生產線上不可或缺的關鍵設備，可以廣泛應用于不同等級的半導體前道高端光刻領域。至此芯達半導體實現了前道涂膠顯影設備的完全國產化。

資料顯示，芯達半導體核心研發(fā)團隊擁有20年以上專業(yè)經驗，建有10000平米的研發(fā)及生產場地。公司以Semi標準調度平臺軟件和控制系統(tǒng)技術來實現高端涂膠顯影機架構和部件模塊的調度控制，通過高精度、高產能光刻產品的架構平臺技術來實現疊層模塊架構設備的生產和環(huán)境控制。

目前，芯達半導體的產品從涂膠顯影機整體架構到單元零部件已完全實現國產化，可替代國外28nm以上光刻工藝進口產品，并能提供從整機到工藝解決方案的一系列服務。

晶馳機電8英寸碳化硅設備開始交付

近日，晶馳機電在我國第三代半導體材料裝備領域又有重要進展：其開發(fā)的8英寸碳化硅（SiC）電阻式長晶爐通過客戶驗證，并正式開啟了小批量交付。

該設備采用獨特的結構設計，結合最先進的過程控制理論和自動化控制方法，實現了長晶過程中工藝參數的精準控制和設備運行的高度智能化。通過創(chuàng)新的熱場設計，實現均勻的徑向溫度和寬范圍精準可調的軸向溫度梯度。

與傳統(tǒng)的感應式碳化硅單晶設備相比，晶馳機電的電阻法SiC長晶爐優(yōu)勢顯著。它簡化了工藝設計流程，熱場穩(wěn)定性高且使用壽命長，多爐次生長單晶的一致性好，特別適合大尺寸碳化硅單晶生長，尤其適合希望快速進入SiC單晶生長領域但經驗相對不足的企業(yè)。

目前，碳化硅長晶技術主要包括物理氣相輸運（PVT）法和電阻加熱法。PVT法是當前碳化硅單晶生長的主流技術，已實現商業(yè)化應用，能夠制備高純度、大尺寸的晶體。而電阻加熱法作為新興技術，在控制溫度梯度、減少晶體缺陷方面表現出色，適合生長厚尺寸、高質量的晶體。

電阻加熱長晶爐具有結構緊湊、可兼容多種加熱方式、控溫精度高等特點，能滿足6-8英寸碳化硅單晶的生長需求。隨著碳化硅在新能源汽車、5G通信等領域的應用不斷拓展，對碳化硅襯底的需求日益增長，這也促使眾多國內碳化硅設備廠商紛紛布局，推動技術不斷進步。

其中，連科半導體在5月發(fā)布的8英寸碳化硅長晶爐，具有結構設計緊湊、長晶工藝靈活、節(jié)約環(huán)保等特點；6月，優(yōu)晶科技8英寸電阻法碳化硅單晶生長設備獲行業(yè)專家認可，成功通過技術鑒定評審；晶升股份第一批8英寸碳化硅長晶設備已于2024年7月在重慶完成交付...

奧特維科技：成功“長出”8英寸碳化硅單晶晶體

1月6日，奧特維科技通過官方微博宣布，旗下控股子公司松瓷機電成功利用自主研發(fā)的碳化硅長晶爐，成功“長出”8英寸碳化硅單晶晶體。
根據信息，松瓷機電是奧特維科技的控股子公司，專注于單晶爐設備的設計、制造和銷售。

2024年10月，奧特維科技通過收購松瓷機電少數股東持有的33.21%股權，進一步加強了對松瓷機電的控制，持股比例已提高至73.84%。該公司此舉旨在更高效地整合資源，推動公司在碳化硅產業(yè)中的全面布局。
目前，奧特維科技在碳化硅領域的產品線持續(xù)擴展，包括碳化硅長晶爐和原料合成爐外、混合模塊鍵合機、混合模塊光學檢測機、8寸自動劃片機等多款關鍵設備，涵蓋了半導體封測生產的多個環(huán)節(jié)。

韓國晶圓檢測設備商Nextin在無錫設廠

公開資料顯示，韓國光學晶圓檢測設備制造商Nextin將在中國無錫設立一家子公司，該子公司將于10月開始生產晶圓設備。該公司最初計劃與另一家韓國公司合資經營，但最終決定獨立運營。

消息人士稱，新成立的子公司名為無錫Nextin，其規(guī)模是其韓國工廠的三倍，產能也將提高十倍。無錫Nextin工廠的生產將于10月開始；部分組裝好的設備將從韓國運送到中國工廠進行最終組裝。該子公司將獲得中國政府的補貼。

Nextin在中國的客戶一直要求這家晶圓設備制造商在當地生產。目前該公司向芯片制造商SK海力士供應其3D晶圓檢測設備IRIS-II。它還推出了AEGIS，這是一種用于檢測晶圓缺陷的設備。

此外，據悉，Nextin去年第三季度實現營收347億韓元，營業(yè)利潤144億韓元，分別比2023年增長141%和172%。

業(yè)界認為，隨著中國半導體市場的不斷擴大，國際半導體設備企業(yè)紛紛加大在中國的布局力度。一方面，中國擁有龐大的市場需求和完善的產業(yè)配套體系，能夠為企業(yè)提供廣闊的發(fā)展空間；另一方面，在中國設廠可以更貼近客戶，提供更及時的技術支持和售后服務，降低生產成本。這一趨勢也加劇了國內半導體設備市場的競爭，促使國內企業(yè)不斷提升技術水平和服務質量，以應對國際競爭。

封面圖片來源：拍信網