近日，美國商務(wù)部和國家半導(dǎo)體技術(shù)中心(NSTC)的運(yùn)營商N(yùn)atcast宣布在紐約州立大學(xué)奧爾巴尼納米技術(shù)中心建設(shè)首個(gè)基于美國《芯片與科學(xué)法案》的旗艦研發(fā)站點(diǎn)。

該站點(diǎn)名為“EUV加速器”，將重點(diǎn)推進(jìn)最先進(jìn)的EUV光刻技術(shù)的研發(fā)工作，并將獲得8.25億美元美國聯(lián)邦資金支持。同時(shí)，該加速器將匯集整個(gè)生態(tài)系統(tǒng)的NSTC成員，通過為NSTC成員提供技術(shù)、能力和關(guān)鍵資源，加速半導(dǎo)體研發(fā)和創(chuàng)新。

2023年底，美國紐約州州長曾宣布，將聯(lián)合IBM、美光、應(yīng)用材料、東京電子等公司投資100億美元，在紐約州立大學(xué)奧爾巴尼納米技術(shù)綜合體興建下一代High-NA（高數(shù)值孔徑）EUV半導(dǎo)體研發(fā)中心，并且還將利用州政府的資金購買ASML的High-NA EUV光刻機(jī)，以支持世界上最復(fù)雜、最強(qiáng)大的半導(dǎo)體研發(fā)。

據(jù)悉，“EUV加速器”站點(diǎn)將于2025年開始運(yùn)營，預(yù)計(jì)同年引入0.33NA EUV光刻機(jī)，2026年引入High NA EUV光刻機(jī)，將支持相關(guān)的功能與技術(shù)支持。

EUV光刻技術(shù)對于制造更小、更快、更高效的微芯片至關(guān)重要。隨著半導(dǎo)體行業(yè)不斷突破摩爾定律的極限，EUV光刻技術(shù)已成為一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)以前無法實(shí)現(xiàn)的7nm以下晶體管的大批量生產(chǎn)。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)