據(jù)招標(biāo)平臺信息顯示，4月1日，中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡稱“中微半導(dǎo)體”）中標(biāo)華虹半導(dǎo)體（無錫）有限公司12臺刻蝕機。

圖片來源：全國招標(biāo)投標(biāo)公共服務(wù)平臺公告截圖

資料顯示，本次中標(biāo)的12臺刻蝕機，分別是3臺鈍化層刻蝕、7臺氧化膜刻蝕、2臺SiN刻蝕，均為等離子體刻蝕工藝。

近日，中微半導(dǎo)體發(fā)布2021年年度報告，顯示2021年實現(xiàn)營收31.08億元，同比增長37%。刻蝕設(shè)備方面收入20.04億元，占比64%，同比增長55%。

年報顯示，該公司2021年產(chǎn)品付運腔體數(shù)量為491腔，同比增長66.4%。其中刻蝕設(shè)備方面，CCP刻蝕機付運298腔，同比增長40%；ICP刻蝕機付運134腔，同比增長235%，取得突破性進展。

而在業(yè)務(wù)進展方面，近日，中微半導(dǎo)體在回答投資者提問時表示，公司的ICP刻蝕設(shè)備在2021年通過諸多客戶的工藝認(rèn)證并獲得重復(fù)訂單。

結(jié)合中微半導(dǎo)體年度報告最新數(shù)據(jù)， ICP刻蝕方面，中微半導(dǎo)體的Primo nanova® ICP 刻蝕產(chǎn)品已經(jīng)在超過15 家客戶的生產(chǎn)線上進行 100 多個 ICP 刻蝕工藝的驗證，截止2021年年12月底，已經(jīng)順利交付超180臺反應(yīng)腔，持續(xù)提升ICP刻蝕的市場份額；中微半導(dǎo)體新推出的高輸出率雙反應(yīng)臺ICP刻蝕設(shè)備Primo Twin-Star®已經(jīng)在國內(nèi)領(lǐng)先客戶的產(chǎn)線上完成認(rèn)證，并收到更多國內(nèi)客戶的訂單；同樣應(yīng)用 ICP 技術(shù)的 8 英寸和 12 英寸深硅刻蝕設(shè)備 Primo TSV200E®、Primo TSV300E®在先進系統(tǒng)封裝、2.5 維封裝和微機電系統(tǒng)芯片生產(chǎn)線等成熟刻蝕市場繼續(xù)獲得重復(fù)訂單的同時，也開始在 3D 芯片等新興市場的刻蝕工藝上得到驗證。

在 CCP刻蝕方面，該公司在先進邏輯電路方面，成功取得5nm及以下邏輯電路產(chǎn)線的重復(fù)訂單；在存儲電路方面，在64層及128層3DNAND產(chǎn)線得到廣泛應(yīng)用；此外，中微半導(dǎo)體新推出的8英寸晶圓加工CCP刻蝕設(shè)備Primo AD-RIE 200®可靈活配置多達三個雙反應(yīng)臺反應(yīng)腔（即六個反應(yīng)臺），且提供可升級至12英寸刻蝕設(shè)備系統(tǒng)的靈活解決方案。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)