3月2日，電科材料下屬山西爍科晶體有限公司（以下簡稱”爍科晶體“）宣布已于今年1月實(shí)現(xiàn)8英寸N型SiC拋光片的小批量生產(chǎn)，助推國產(chǎn)8英寸N型SiC拋光片的批量化生產(chǎn)。

據(jù)了解，爍科晶體成立于2018年10月，是國內(nèi)專業(yè)從事第三代半導(dǎo)體SiC研發(fā)和生產(chǎn)的領(lǐng)軍企業(yè)之一，也是國內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)SiC材料產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈自主可控的SiC材料供應(yīng)商，現(xiàn)擁有覆蓋SiC粉料制備、單晶生長和晶片加工等的整套生產(chǎn)線，其中單晶生長設(shè)備有600臺(tái)。

核心技術(shù)方面，爍科晶體掌握了SiC生產(chǎn)裝備制造、高純SiC粉料制備工藝、N型SiC單晶襯底和高純半絕緣SiC單晶襯底的制備工藝，其中包括4/6/8英寸襯底片的“切、磨、拋”工藝，解決了關(guān)鍵技術(shù)工藝“卡脖子”問題。

產(chǎn)品方面，爍科晶體主要生產(chǎn)高純半絕緣SiC單晶襯底、N型導(dǎo)電型SiC單晶襯底、SiC晶體等。其中，4英寸高純半絕緣SiC襯底已實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，月產(chǎn)能可達(dá)8000片，且在國內(nèi)市場占有率超過50%。6英寸高純半絕緣SiC襯底也已實(shí)現(xiàn)小批量供應(yīng)。

在此基礎(chǔ)上，爍科晶體于2021年8月成功研制出8英寸SiC晶體，突破了大尺寸單晶制備的重要難題，如今進(jìn)一步取得實(shí)質(zhì)性進(jìn)展，實(shí)現(xiàn)8英寸N型SiC拋光片的小批量生產(chǎn)。

爍科晶體介紹，由于SiC對溫度及壓力控制有著極其苛刻的要求，而且其本身具有的高硬度、高脆性、低斷裂韌性等特點(diǎn)，大尺寸碳化硅單晶的制備及切割極具挑戰(zhàn)性，而爍科晶體8英寸晶體和晶片的成功研制，則充分驗(yàn)證了公司的自主創(chuàng)新能力和專業(yè)研發(fā)實(shí)力。

據(jù)TrendForce集邦咨詢分析，SiC等第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵襯底材料生長條件困難、工藝難度大、技術(shù)門檻高，將成為SiC下游產(chǎn)能關(guān)鍵制約點(diǎn)，目前關(guān)鍵技術(shù)仍掌握在Wolfspeed、羅姆、II-VI、意法半導(dǎo)體等國際IDM大廠手中，國內(nèi)外技術(shù)仍存在不小的差距。

不過，可喜的是，國內(nèi)廠商正在強(qiáng)勢崛起。近兩年來，隨著山東天岳、天科合達(dá)等廠商在利好政策的支持下乘風(fēng)而上，國產(chǎn)SiC產(chǎn)業(yè)技術(shù)難題不斷取得突破。

同時(shí)，越來越多像爍科晶體、同光股份等的國內(nèi)企業(yè)也在持續(xù)趕超，一步一步突破SiC產(chǎn)業(yè)技術(shù)壁壘，助力縮短國內(nèi)外技術(shù)差距，推動(dòng)SiC襯底等關(guān)鍵材料的國產(chǎn)化替代進(jìn)程。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)