據(jù)蘇州工業(yè)園區(qū)發(fā)布消息，12月2日，晶湛半導體總部大樓建設項目奠基儀式在蘇州舉行。

據(jù)悉，該項目位于納米城E地塊，總建筑面積23443.27平方米，建成后將成為國內(nèi)規(guī)模最大的氮化鎵電力電子材料、射頻材料和微顯示材料的生產(chǎn)基地。

消息顯示，晶湛半導體致力于為高端光電、電力電子、微波射頻等領域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案，是園區(qū)自主培育的第三代半導體氮化鎵外延材料領軍企業(yè)，申請專利近400項，授權近百項。2014年率先在全球發(fā)布商用8英寸硅基氮化鎵外延片；2021年9月，晶湛半導體全球首發(fā)12英寸硅基電力電子氮化鎵外延片。

此前消息顯示，晶湛半導體擬投資2.8億元進行異地擴建，在蘇州工業(yè)園區(qū)百川街西、南蕩田巷北自購土地建設新廠區(qū)，建成后年產(chǎn)氮化鎵外延片24萬片。其中，6英寸和8英寸氮化鎵外延片年產(chǎn)能均為12萬片，用于制造微波功率器件和電力電子功率器。項目預計2021年11月開工建設，2023年2月完成建筑施工。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)