8月9日，浦東時(shí)報(bào)刊登了瀚鎵GaN自支撐晶圓制造關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目環(huán)評公示。

公示信息顯示，該項(xiàng)目將由上海瀚鎵半導(dǎo)體科技有限公司（以下簡稱“瀚鎵半導(dǎo)體”）在上海市浦東新區(qū)江山路負(fù)責(zé)建設(shè)。項(xiàng)目內(nèi)容為4英寸GaN高質(zhì)量自支撐晶圓的研發(fā)及中試。

圖片來源：浦東時(shí)報(bào)官網(wǎng)截圖

企查查信息顯示，瀚鎵半導(dǎo)體成立于2020年08月，法定代表人為何哲強(qiáng)，注冊資本為500萬元人民幣。其經(jīng)營范圍包含從事半導(dǎo)體科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)服務(wù)、技術(shù)開發(fā)、技術(shù)咨詢及交流、技術(shù)轉(zhuǎn)讓及推廣；電子專用材料研發(fā)；半導(dǎo)體器件專用設(shè)備銷售等。

另據(jù)招聘網(wǎng)信息，瀚鎵半導(dǎo)體由上海集成電路材料研究院支撐孵化，專注于GaN晶體材料制造技術(shù)及相關(guān)設(shè)備、應(yīng)用技術(shù)的開發(fā)，進(jìn)行GaN自支撐晶圓制造關(guān)鍵技術(shù)中試研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)