7月20日，長沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目開工活動(dòng)在長沙高新區(qū)舉行。

當(dāng)前，第三代半導(dǎo)體材料及器件已成為全球半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)的前沿和制高點(diǎn)之一。以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體成熟商用材料，在新能源汽車、5G、智能電網(wǎng)、高速軌道交通、半導(dǎo)體照明、消費(fèi)類電子、航天等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值。

據(jù)了解，三安光電是Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體、集成電路龍頭企業(yè)。長沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目總投資160億元，總占地面積1000畝，主要建設(shè)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產(chǎn)業(yè)生產(chǎn)基地。項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后將形成超百億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，并帶動(dòng)上下游配套產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值預(yù)計(jì)逾千億元。

根據(jù)此前的公告披露，三安光電擬在長沙高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會(huì)園區(qū)成立子公司投資建設(shè)包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，包括長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝產(chǎn)業(yè)鏈，研發(fā)、生產(chǎn)及銷售6吋SIC導(dǎo)電襯底、4吋半絕緣襯底、SIC二極管外延、SiC MOSFET外延、SIC二極管外延芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封裝二極管、碳化硅器件封裝MOSFET。

湖南湘江新區(qū)黨工委書記鄭建新表示，長沙三安第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目作為長沙17個(gè)制造業(yè)標(biāo)志性重點(diǎn)項(xiàng)目之一，將在長沙建設(shè)形成長晶—襯底制作—外延生長—芯片制備—封裝的碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈，必將成為推動(dòng)長沙新一代半導(dǎo)體及集成電路產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的重大動(dòng)力。

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