韓國半導體業(yè)內(nèi)人士透露，三星第五代12 層高頻寬存儲器HBM3E 產(chǎn)品終于通過Nvidia 品質(zhì)認證測試，預計不久后開始供應高階存儲器芯片，并有望打入下一代HBM4 競爭鏈。

全球高效能運算市場需求快速擴增，特別是隨生成式AI 模型、超級電腦、數(shù)位孿生技術（digital twin）催化，市場對HBM 這類高頻寬低延遲存儲器需求也上升。

其中HBM3E DRAM 是解決AI 算力瓶頸關鍵存儲器技術，憑借超過1 TB/s 的匯流排速度，成為NVIDIA、AMD、Intel 新一代AI 芯片（如NVIDIA H200/B100/B200、AMD MI350X）必備元件，沒有HBM3E ，這些芯片的算力就無法完全釋放。

三星作為全球3 家主要存儲器制造商之一，過去在HBM 競爭中卻相對落后，SK 海力士去年9 月率先開始量產(chǎn)HBM3E 12 層芯片，其次為美光在今年第一季通過英偉達認證，三星雖然已向超微出貨HBM3E 12 層芯片，但從去年2 月向英偉達提供首批HBM3E 12 層芯片樣品后，一直未能滿足英偉達嚴格的性能要求。

就這樣拉扯長達18 個月，韓國多家媒體近日報導業(yè)內(nèi)人士透露，三星終于正式通過英偉達HBM3E 12 層芯片品質(zhì)認證測試，將成第三家向英偉達提供HBM3E 12 層產(chǎn)品的公司。