三星電子在其2025年度可持續(xù)發(fā)展報(bào)告中宣布，已開(kāi)發(fā)出基于LPDDR DRAM的服務(wù)器內(nèi)存模塊SOCAMM2。這一新技術(shù)的推出標(biāo)志著三星在內(nèi)存模塊市場(chǎng)的進(jìn)一步擴(kuò)展，尤其是在AI服務(wù)器內(nèi)存領(lǐng)域。盡管由于英偉達(dá)GB300 "Blackwell Ultra"主板設(shè)計(jì)的變動(dòng)，SOCAMM模塊尚未進(jìn)入商業(yè)化階段，但其未來(lái)潛力依然被看好，預(yù)計(jì)將成為Vera Rubin平臺(tái)的一部分，為Vera CPU提供更靈活、易于維護(hù)的非板載內(nèi)存選擇。

SOCAMM內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)特點(diǎn)包括單條位寬128bit，采用單面四顆粒焊盤和三固定螺絲孔的物理結(jié)構(gòu)，這種緊湊的外形設(shè)計(jì)使其更適合在服務(wù)器中進(jìn)行批量安裝和冷卻。三星電子的這一舉措不僅展示了其在內(nèi)存技術(shù)上的創(chuàng)新能力，也為其在競(jìng)爭(zhēng)激烈的市場(chǎng)中爭(zhēng)取了先機(jī)。

此外，三星電子還在推進(jìn)其1c納米DRAM內(nèi)存工藝的開(kāi)發(fā)，已獲得生產(chǎn)準(zhǔn)備批準(zhǔn)，標(biāo)志著其向量產(chǎn)轉(zhuǎn)移的準(zhǔn)備工作已基本完成。這一新工藝的成功將對(duì)三星未來(lái)的營(yíng)收表現(xiàn)產(chǎn)生重要影響，尤其是在高帶寬內(nèi)存（HBM）市場(chǎng)的競(jìng)爭(zhēng)中。