美光科技于6月10日宣布，已向多個(gè)主要客戶交付了36GB的HBM4樣品，這一里程碑標(biāo)志著其在AI應(yīng)用內(nèi)存性能和能效方面的進(jìn)一步提升。HBM4內(nèi)存基于美光成熟的1ß（1-beta）DRAM工藝，采用12層堆疊封裝技術(shù)，并具備高性能內(nèi)存自檢（MBIST）功能，旨在為開發(fā)下一代AI平臺(tái)的客戶提供無縫集成。

隨著生成式AI的快速發(fā)展，推理能力的有效管理變得愈發(fā)重要。美光的HBM4內(nèi)存采用2048位接口，每個(gè)內(nèi)存堆棧的速度超過2.0 TB/s，性能較上一代產(chǎn)品提升了60%以上。這種擴(kuò)展的接口設(shè)計(jì)促進(jìn)了快速通信和高吞吐量，顯著加速了大型語言模型和推理系統(tǒng)的性能，幫助AI加速器更快地響應(yīng)和推理。

此外，與美光的上一代HBM3E產(chǎn)品相比，HBM4的功率效率提高了20%以上，進(jìn)一步鞏固了美光在內(nèi)存功率效率方面的行業(yè)領(lǐng)先地位。這一改進(jìn)使得在最低功耗下實(shí)現(xiàn)最大吞吐量成為可能，從而提升數(shù)據(jù)中心的整體效率。

美光云內(nèi)存業(yè)務(wù)部高級(jí)副總裁Raj Narasimhan表示：“HBM4的性能、更高的帶寬和行業(yè)領(lǐng)先的能效證明了我們的內(nèi)存技術(shù)和產(chǎn)品的領(lǐng)先地位。我們將繼續(xù)通過HBM4和強(qiáng)大的AI內(nèi)存及存儲(chǔ)解決方案推動(dòng)創(chuàng)新。”

美光計(jì)劃在2026年增加HBM4的產(chǎn)能，以與客戶的下一代AI平臺(tái)的量產(chǎn)保持一致。此舉不僅將推動(dòng)醫(yī)療、金融和交通等領(lǐng)域的創(chuàng)新，也將為社會(huì)帶來重大益處。