近日，武漢集成電路產業(yè)版圖再次拓展，多個產業(yè)項目簽約落地，包括廣鋼氣體電子氣體華中區(qū)域總部項目、卓瓷科技武漢研發(fā)生產基地項目、武漢市集成電路技術與產業(yè)促進中心（ICC）、三維相變存儲器研發(fā)及產業(yè)化項目、聚芯微集成電路設計項目、微崇半導體集成電路量測設備項目等，涉及EDA、存儲、零部件、材料、設備、制造、封測等多個細分領域領域。其中，三維相變存儲器研發(fā)及產業(yè)化項目備受業(yè)界關注。

01新型存儲器項目落戶武漢

此次簽約的三維相變存儲器研發(fā)及產業(yè)化項目由芯連鑫（武漢）半導體有限公司（以下簡稱“芯連鑫半導體”）投資。

據介紹，芯連鑫半導體武漢“三維相變存儲器”項目將在武漢經開區(qū)建設研發(fā)中心，聚焦于突破現有存儲技術瓶頸，專注于新型存儲器PCM的解決方案，在AI算力網絡、數據中心、智能汽車領域等方面提供有力支撐。

三維變相存儲是一種結合三維堆疊結構與相變材料特性的新型非易失性存儲技術。其核心是通過垂直堆疊存儲單元，利用相變材料在晶態(tài)（低阻態(tài)）與非晶態(tài)（高阻態(tài)）之間的可逆相變實現數據存儲，并借助三維結構提升存儲密度和性能。

相變存儲是利用相變材料的物理狀態(tài)變化來存儲數據，而三維相變存儲則是將內部容量從二維“搭平房”升級為三維“蓋樓房”。現階段的三維相變存儲產品還在迭代的過程中，整體性能介于傳統(tǒng)閃存和內存之間，簡單來說就是斷電不失去數據的同時，速度比閃存快但比內存慢，容量比閃存小但比內存大，成本比閃存高但比內存低。

芯連鑫半導體有關負責人透露，其研發(fā)的PCM產品，通過材料創(chuàng)新和三維堆疊技術實現存儲密度與速度的雙重突破。據“武漢經開區(qū)介紹”，作為武漢“光芯屏端網”產業(yè)集群的重要補充，項目不僅將配套開發(fā)內存控制芯片、智能網卡光模塊等關鍵器件，更計劃構建從芯片設計到模組集成的完整產業(yè)鏈。

目前，芯連鑫半導體已與廣西天山電子等企業(yè)建立戰(zhàn)略合作，其研發(fā)成果將率先應用于AI服務器和車載智能系統(tǒng)。業(yè)內人士分析，三維相變存儲器的產業(yè)化有望重構現有存儲市場格局，為5G、元宇宙等前沿領域提供底層技術支撐。

據“華中科技大學集成電路學院”介紹，三維相變存儲器是目前最有競爭力的新型存儲技術之一，該技術可以實現存儲容量和擦寫速度的雙重突破，滿足信息量爆發(fā)增長對存儲器的性能需求。

02武漢加快建設全球存儲之都

武漢市高度重視集成電路產業(yè)發(fā)展，經過多年發(fā)展，已構建起覆蓋芯片設計、制造、封測及應用等集成電路核心環(huán)節(jié)的完整產業(yè)鏈。今年初，湖北省省委書記王忠林在政府工作報告中提到，2024年，武漢光谷存儲芯片產值已突破600億元，規(guī)模居全國第二。

作為近年來武漢重點聚焦的集成電路細分領域，武漢存儲芯片業(yè)已經形成了以長江存儲、武漢新芯、長江萬潤半導體等企業(yè)為核心的存儲芯片研發(fā)與制造產業(yè)集群。

其中長江存儲是一家集芯片設計、生產制造、封裝測試及系統(tǒng)解決方案產品于一體的存儲器IDM企業(yè)，長江存儲于2017年成功設計制造了中國首款3D NAND閃存，2020年4月，長江存儲宣布第三代TLC/QLC兩款產品研發(fā)成功，其中X2-6070型號作為首款第三代QLC閃存，擁有發(fā)布之時業(yè)界最高的I/O速度，最高的存儲密度和最高的單顆容量。

目前，長江存儲主要為全球合作伙伴提供3D NAND閃存晶圓及顆粒，嵌入式存儲芯片以及消費級、企業(yè)級固態(tài)硬盤等產品和解決方案，廣泛應用于移動通信、消費數碼、計算機、服務器及數據中心等領域。

長江萬潤半導體成立于2022年12月，主要從事存儲器的研發(fā)、設計與銷售，重點布局消費級、工業(yè)級、車規(guī)級存儲領域，致力于將“長江萬潤”打造成為行業(yè)知名的存儲品牌。

武漢新芯則是國內知名的半導體特色工藝12英寸晶圓代工企業(yè)，聚焦于特色存儲、數?；旌虾腿S集成等業(yè)務領域。其中在特色存儲領域，武漢新芯是中國大陸規(guī)模最大的NOR Flash制造廠商。

目前，武漢新芯正在沖刺資本市場。上交所官網顯示，3月31日，審核狀態(tài)為“已問詢”的武漢新芯科更新披露了招股書。招股書顯示，2024年1至9月，該公司營業(yè)總收入達31.46億元，歸母凈利潤為1.38億元。

當前，武漢市正在加快打造千億級集成電路產業(yè)集群，加快建設全球存儲之都。以武漢光谷為例，據悉，2025年，武漢光谷將啟動建設存儲器千億產業(yè)創(chuàng)新街區(qū)建設，完善三維存儲工藝驗證、研發(fā)中試、先進封裝等高水平服務平臺。

展望未來，武漢將進一步搶抓產業(yè)周期和新賽道機遇，結合武漢所能和國家所需，瞄準存儲器等主攻方向，提升關鍵環(huán)節(jié)配套能力，著力補齊短板，全力打造千億集成電路產業(yè)集群。