近日，德國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)Neumonda宣布與鐵電存儲(chǔ)器公司（FMC）達(dá)成戰(zhàn)略合作，將在德國(guó)德累斯頓建立新型非易失性存儲(chǔ)芯片（FeRAM）生產(chǎn)線。

雙方此次合作的核心是FMC研發(fā)的“DRAM+”技術(shù)。據(jù)媒體報(bào)道，該技術(shù)突破了傳統(tǒng)FeRAM的存儲(chǔ)限制，通過采用10nm以下制程兼容的鉿氧化物（HfO2）作為鐵電層，替代傳統(tǒng)鋯鈦酸鉛PZT材料，存儲(chǔ)容量從傳統(tǒng)FeRAM的4-8MB提升至Gb-GB級(jí)別，同時(shí)保持?jǐn)嚯姴粊G失數(shù)據(jù)的特性。

根據(jù)協(xié)議，F(xiàn)MC將打造出適用于人工智能、醫(yī)療、工業(yè)、汽車和消費(fèi)電子應(yīng)用的非易失性DRAM存儲(chǔ)器，而擁有多項(xiàng)DRAM存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)和測(cè)試專利的Neumonda將為FMC提供存儲(chǔ)器咨詢服務(wù)，并為其非易失性DRAM+產(chǎn)品提供Rhinoe、Octopus和Raptor測(cè)試平臺(tái)。

據(jù)悉，這是歐洲繼2009年英飛凌與奇夢(mèng)達(dá)的德國(guó)DRAM工廠破產(chǎn)關(guān)停后，首次嘗試重啟存儲(chǔ)器本土化生產(chǎn)。

FMC首席執(zhí)行官Thomas Rueckes表示：“鉿氧化物的鐵電效應(yīng)將DRAM電容轉(zhuǎn)變?yōu)榉且资源鎯?chǔ)單元，在保持高性能的同時(shí)實(shí)現(xiàn)低功耗，特別適合AI運(yùn)算的持久內(nèi)存需求。”Neumonda首席執(zhí)行官Peter Poechmueller則指出：“我們的終極目標(biāo)是重建德國(guó)的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)，本次合作邁出了關(guān)鍵一步。”