韓國朝鮮日?qǐng)?bào)消息，三星DS部門存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)部最近完成HBM4高帶寬存儲(chǔ)邏輯芯片的設(shè)計(jì)，F(xiàn)oundry業(yè)務(wù)部方面也已經(jīng)根據(jù)該設(shè)計(jì)，采4納米試產(chǎn)。 待完成邏輯芯片的最終性能驗(yàn)證后，三星將提供HBM4樣品驗(yàn)證。

邏輯芯片也稱基礎(chǔ)裸片，對(duì)整體HBM堆疊發(fā)揮大腦作用，負(fù)責(zé)控制上方多層DRAM芯片。 HBM4 世代，存儲(chǔ)器堆疊 I/O 引腳數(shù)量倍增，需整合更多功能等一系列因素，使得全球三大內(nèi)存原廠均采用邏輯半導(dǎo)體代工制造來邏輯芯片。

報(bào)道引用韓國市場(chǎng)人士說法，執(zhí)行工作時(shí)發(fā)熱是HBM最大敵人，而在堆棧整體中邏輯芯片更是發(fā)熱大戶，采先進(jìn)制程有助改善HBM4能效與性能表現(xiàn)。

三星試圖HBM4采取更積極路線，以挽回HBM3E流失的HBM市占。 除自家4納米制造邏輯芯片外，HBM4還導(dǎo)入10納米級(jí)1c制程生產(chǎn)DRAM，有望16層堆疊導(dǎo)入無凸塊混合鍵合。