AI市場(chǎng)熱度有增無(wú)減，推動(dòng)存儲(chǔ)器需求水漲船高，高性能HBM、大容量閃存產(chǎn)品備受青睞，近期三星、SK海力士、美光、鎧俠也披露了多個(gè)項(xiàng)目最新動(dòng)態(tài)；與此同時(shí)，傳統(tǒng)存儲(chǔ)產(chǎn)品卻傳來(lái)減產(chǎn)消息。全球經(jīng)濟(jì)發(fā)展形勢(shì)仍不明朗，消費(fèi)電子需求遲遲未見(jiàn)明確復(fù)蘇信號(hào)，未來(lái)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)挑戰(zhàn)依然存在。

傳統(tǒng)NAND、DDR4等存儲(chǔ)產(chǎn)品或被減產(chǎn)

存儲(chǔ)市場(chǎng)近期喜憂摻半，據(jù)外媒和存儲(chǔ)廠商最新消息，由于消費(fèi)電子市場(chǎng)復(fù)蘇不及預(yù)期，包括三星、SK海力士、鎧俠開(kāi)始醞釀減產(chǎn)以應(yīng)對(duì)變化。具體減產(chǎn)措施上，三星、鎧俠擬于2025年開(kāi)始對(duì)NAND進(jìn)行減產(chǎn)，預(yù)計(jì)依照市場(chǎng)況狀進(jìn)行分階段減產(chǎn)。SK海力士則逐步降低DDR4傳統(tǒng)DRAM生產(chǎn)比重，從而將有限產(chǎn)能轉(zhuǎn)向人工智能用存儲(chǔ)器及先進(jìn)DRAM產(chǎn)品。

三星近期公布了最新的三季度財(cái)報(bào)，三星官方表示其業(yè)績(jī)不及預(yù)期，該部門(mén)主管也罕見(jiàn)聲明為業(yè)務(wù)陷入困境致歉。據(jù)悉，三星實(shí)現(xiàn)營(yíng)收79.1萬(wàn)億韓元，同比增長(zhǎng)17.2%；營(yíng)業(yè)利潤(rùn)9.18萬(wàn)億韓元，同比增長(zhǎng)274.5%，但環(huán)比下降12.8%，并且該數(shù)據(jù)明顯低于倫敦證券交易所估計(jì)的11.456萬(wàn)億韓元的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)。

圖片來(lái)源：三星電子

三星也在最新的財(cái)報(bào)電話會(huì)議中表示，計(jì)劃削減傳統(tǒng)DRAM和NAND閃存的產(chǎn)量。三星設(shè)備解決方案（DS）副總裁KimJae-joon表示，公司正下調(diào)通用DRAM與NAND存儲(chǔ)產(chǎn)品的產(chǎn)量，以符合逐漸下滑的市場(chǎng)需求。行業(yè)人士透露，三星預(yù)計(jì)將減少以DDR4為主的產(chǎn)能，把部分DDR4產(chǎn)能轉(zhuǎn)移至DDR5、LPDDR5以及HBM等先進(jìn)產(chǎn)品的生產(chǎn)上。

針對(duì)市場(chǎng)傳聞的在今年四季度減產(chǎn)NAND消息，三星表示公司無(wú)意在第四季度減少NAND產(chǎn)量，但將根據(jù)市場(chǎng)情況靈活調(diào)整。據(jù)悉，三星電子已逐步開(kāi)始對(duì)中國(guó)西安的NAND閃存工廠生產(chǎn)線舊設(shè)備進(jìn)行銷(xiāo)售，預(yù)計(jì)出售過(guò)程將于2025年正式開(kāi)始，其中大部分是100層3D NAND設(shè)備。自去年以來(lái)，三星一直致力于將西安工廠的工藝從100層3D NAND升級(jí)至200層。

鎧俠方面，供應(yīng)鏈?zhǔn)袌?chǎng)最新消息顯示，為應(yīng)對(duì)生成性AI浪潮需求，鎧俠將于2025年大規(guī)模生產(chǎn)第八代NAND設(shè)備，并準(zhǔn)備投產(chǎn)最先進(jìn)存儲(chǔ)產(chǎn)品以及準(zhǔn)備上市等事宜。由于擔(dān)心未來(lái)庫(kù)存上升，鎧俠計(jì)劃在第四季度減少NAND產(chǎn)量，以避免產(chǎn)能過(guò)剩問(wèn)題。對(duì)此傳聞，鎧俠并未進(jìn)行回應(yīng)。

SK海力士方面，據(jù)業(yè)界消息人士本月初透露，將降低其DDR4 DRAM芯片產(chǎn)能。今年第3季度SK海力士DDR4的生產(chǎn)比重已從第2季度的40%降至30%，第4季度更計(jì)劃進(jìn)一步降至20%，并將把有限產(chǎn)能轉(zhuǎn)向人工智能用存儲(chǔ)產(chǎn)品及先進(jìn)DRAM產(chǎn)品。對(duì)此消息，SK海力士并未進(jìn)行回應(yīng)。

從市場(chǎng)情況看，目前服務(wù)器DRAM需求穩(wěn)定且呈增長(zhǎng)趨勢(shì)，隨著云計(jì)算和數(shù)據(jù)中心需求的增長(zhǎng)，包括AWS、Meta、Azure、Google、百度、HPE、Dell、阿里云等CSP（云服務(wù)提供商）科技巨頭持續(xù)投資服務(wù)器的推動(dòng)，DDR5等芯片和內(nèi)存模組的采用情況也在逐步上升。與此同時(shí)，由于個(gè)人電腦需求下降等因素，PC DRAM芯片的銷(xiāo)售有所停滯。

NAND方面，綜合行業(yè)多方消息顯示，2023年主要的NAND生產(chǎn)線利用率下降至50％之后，在2024年中期產(chǎn)能利用率曾恢復(fù)到80%~90%。而至今年三四季度，市場(chǎng)現(xiàn)貨交易價(jià)格呈向弱趨勢(shì)，產(chǎn)能利用率也逐步下降。目前市場(chǎng)上除大容量NAND工藝外，通用NAND產(chǎn)品的需求仍然較低，這促使企業(yè)根據(jù)市場(chǎng)情況進(jìn)一步調(diào)整利用率。目前，多家存儲(chǔ)廠商正在將生產(chǎn)重點(diǎn)進(jìn)一步集中至高附加值存儲(chǔ)產(chǎn)品，如HBM、DDR5、LPDDR5、CXL，或企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)（eSSDs）等產(chǎn)品上。

存儲(chǔ)市場(chǎng)NAND/DRAM新增多條產(chǎn)線

近期，三星、SK海力士、美光、鎧俠也披露了多個(gè)擴(kuò)產(chǎn)/新建計(jì)劃，重點(diǎn)無(wú)一例外均聚焦于高附加值存儲(chǔ)產(chǎn)品如HBM、CXL或eSSDs上。最新的市場(chǎng)技術(shù)進(jìn)展也頻頻引起市場(chǎng)關(guān)注。在當(dāng)下存儲(chǔ)市場(chǎng)冷熱分明情況下，存儲(chǔ)廠商的的投資愈發(fā)精細(xì)化，聚焦先進(jìn)尖端技術(shù)和高價(jià)值產(chǎn)品成為大方向。

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三星將擴(kuò)建中國(guó)蘇州和韓國(guó)半導(dǎo)體封裝工廠，配備HBM生產(chǎn)線

在DRAM擴(kuò)產(chǎn)上，近期外媒最新消息顯示，三星內(nèi)部已于三季度決定調(diào)整平澤P4制造綜合體一期（Phase 1）的產(chǎn)能分配，從純NAND調(diào)整為NAND+DRAM。目前三星在平澤共建成有P1、P2、P3三座工廠，P4工廠預(yù)計(jì)將于今年年底完工，明年投產(chǎn)。此外，P5工廠也正在建設(shè)中，不同于P1-P4的四個(gè)潔凈室，P5是一座擁有八個(gè)潔凈室的大型晶圓廠。除新建工廠產(chǎn)線外，三星電子還在針對(duì)舊產(chǎn)線改造，如計(jì)劃將P2工廠的DRAM生產(chǎn)線由生產(chǎn)1z DRAM改為1b DRAM或更尖端的DRAM產(chǎn)線。

而聚焦在HBM上，11月21日消息，由于HBM產(chǎn)品中封裝重要性不斷加強(qiáng)，三星電子正在擴(kuò)大對(duì)國(guó)內(nèi)外生產(chǎn)基地的投資，以加強(qiáng)其半導(dǎo)體先進(jìn)封裝業(yè)務(wù)。據(jù)悉，近日三星簽署了第三季度銷(xiāo)售和采購(gòu)半導(dǎo)體設(shè)備的合同，以擴(kuò)大其中國(guó)蘇州工廠的生產(chǎn)設(shè)施，該合同價(jià)值約200億韓元。另外三星高管表示，公司將擴(kuò)建其位于忠清南道的半導(dǎo)體封裝設(shè)施，以提高高帶寬內(nèi)存(HBM)芯片的產(chǎn)量。據(jù)悉，三星已經(jīng)與韓國(guó)忠清南道政府、天安市政府簽署投資諒解備忘錄，上述兩級(jí)政府?dāng)M對(duì)三星的新半導(dǎo)體封裝工廠提供行政和財(cái)政上的支持，確保三星電子的投資順利進(jìn)行。

三星看到了在AI時(shí)代下HBM市場(chǎng)的巨大潛力，并正在為其落后局面努力追趕。該公司指出，其下一代HBM4計(jì)劃在2025年下半年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)。三星在HBM市場(chǎng)能否卷土重來(lái)的關(guān)鍵，還在于英偉達(dá)。畢竟英偉達(dá)在AI芯片市場(chǎng)上占據(jù)著主導(dǎo)地位，市場(chǎng)份額超80%。對(duì)此三星發(fā)言人特別表示，該公司在HBM3E方面取得了“有意義的進(jìn)展”，并且已經(jīng)“完成了認(rèn)證過(guò)程中的一個(gè)重要階段”。預(yù)計(jì)將在第四季度開(kāi)始擴(kuò)大系列產(chǎn)品的銷(xiāo)售。

為了加速推進(jìn)其HBM研發(fā)進(jìn)展，據(jù)臺(tái)積電方披露，三星正與其聯(lián)手合作開(kāi)發(fā)下一代無(wú)緩沖（buffer-less）HBM4芯片。并且在HBM的設(shè)計(jì)上，三星原定采用7納米工藝，但現(xiàn)在計(jì)劃將工藝提升至4納米，以期在芯片性能和用電量方面表現(xiàn)更優(yōu)秀。

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SK海力士宣布開(kāi)發(fā)16層HBM3E芯片，明年初提供樣品

SK海力士在存儲(chǔ)市場(chǎng)上的發(fā)展勢(shì)頭十分強(qiáng)勁，尤其在HBM領(lǐng)域，可謂是一馬當(dāng)前。三季度其業(yè)績(jī)創(chuàng)歷史新高，并且由于其高性能DRAM產(chǎn)品供不應(yīng)求，急需額外的設(shè)施加碼投資。

據(jù)SK集團(tuán)董事長(zhǎng)Chey Tae-won近期透露，SK海力士正與英偉達(dá)、臺(tái)積電緊密合作，旨在解決當(dāng)前面臨的供應(yīng)瓶頸問(wèn)題。據(jù)他所述，英偉達(dá)CEO在一次高層會(huì)議上明確提出，希望SK海力士能將下一代高帶寬內(nèi)存芯片HBM4的供應(yīng)時(shí)間提前六個(gè)月，SK海力士原計(jì)劃在2025年下半年正式向客戶交付HBM4芯片。

據(jù)韓媒報(bào)道，SK海力士正全力推進(jìn)第5代1b DRAM的產(chǎn)能提升，計(jì)劃將月產(chǎn)能從年初的1萬(wàn)片激增至年底的9萬(wàn)片，到明年上半年進(jìn)一步提升至14萬(wàn)-15萬(wàn)片，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)能的飛躍式增長(zhǎng)，以應(yīng)對(duì)HBM及DDR5 DRAM需求增加。

公開(kāi)資料顯示，SK海力士（包括Solidigm）的存儲(chǔ)生產(chǎn)基地主要分布在韓國(guó)和中國(guó)，其中NAND Flash生產(chǎn)基地位于韓國(guó)和中國(guó)大連，DRAM生產(chǎn)基地位于韓國(guó)和中國(guó)無(wú)錫。據(jù)悉，SK海力士正在考慮將其清州M14、M15X、M16工廠的部分NAND產(chǎn)能轉(zhuǎn)用于生產(chǎn)HBM。其中，SK海力士已開(kāi)始向清州M15X工廠訂購(gòu)設(shè)備，并決定進(jìn)行額外投資。該廠計(jì)劃于明年11月竣工并生產(chǎn)包括HBM在內(nèi)的DRAM產(chǎn)品。另外，11月21日，SK海力士宣布，開(kāi)始量產(chǎn)全球最高的321層 1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）*4D NAND閃存。

在最近披露的資本支出數(shù)據(jù)上，SK海力士表示今年的資本投資將在18萬(wàn)億韓元左右，較年初計(jì)劃略有增加，原因是對(duì)HBM需求高漲以及決定投資忠清北道清州市的M15X。并且由于HBM穩(wěn)定供應(yīng)的投資和龍仁基礎(chǔ)設(shè)施的持續(xù)投資，預(yù)計(jì)明年的設(shè)施投資將超過(guò)今年20萬(wàn)億韓元。

SK海力士在HBM上的研發(fā)一直走在最前列。據(jù)SK海力士官方消息，SK海力士正在從現(xiàn)有的HBM3迅速轉(zhuǎn)換至8層HBM3E產(chǎn)品，而近期開(kāi)始量產(chǎn)的12層HBM3E按原定計(jì)劃將在今年第四季度開(kāi)始供貨。由此，在第三季度DRAM總銷(xiāo)售額中占據(jù)30%的HBM比重預(yù)計(jì)在今年第四季度達(dá)到40%。

圖片來(lái)源：SK海力士

并且SK海力士的HBM產(chǎn)品更新迭代速度在加快，SK海力士近日在SK AI Summit 2024活動(dòng)透露其正在開(kāi)發(fā)HBM3e 16hi產(chǎn)品，每顆HBM芯片容量為48GB，預(yù)計(jì)在2025年上半年送樣。根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新研究，這款新產(chǎn)品的潛在應(yīng)用包括CSP（云端服務(wù)業(yè)者）自行研發(fā)的ASIC和general purpose GPU（通用型GPU），有望在HBM4世代量產(chǎn)前，提早于HBM3e世代推升位元容量上限。

TrendForce集邦咨詢表示，SK hynix的HBM3e 16hi將采用Advanced MR-MUF堆棧制程，與TC-NCF制程相比，使用MR-MUF的產(chǎn)品更容易達(dá)到高堆棧層數(shù)及高運(yùn)算頻寬。在HBM4及HBM4e世代皆預(yù)計(jì)設(shè)計(jì)16hi產(chǎn)品的情況下，SK hynix率先量產(chǎn)HBM3e 16hi，將能及早累積此堆棧層數(shù)的量產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)，以加速后續(xù)HBM4 16hi的量產(chǎn)時(shí)程。SK hynix后續(xù)亦不排除再推出hybrid bonding（混合鍵合）制程版本的16hi產(chǎn)品，以拓展運(yùn)算頻寬更高的應(yīng)用客群。

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美光多地工廠產(chǎn)線擴(kuò)建帶來(lái)最新消息，HBM產(chǎn)能將擴(kuò)充

據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示，2022年三大原廠HBM市占率分別為SK海力士50%、三星約40%、美光約10%。2023年，則為SK海力士約53%，三星約38%，美光約9%。美光在今年年中表示，目前正積極強(qiáng)化技術(shù)并同步擴(kuò)充產(chǎn)能，預(yù)期到2025年HBM市占率能與其DRAM市占率相當(dāng)，約20-25%。從約10%提升至約20-25%，美光為何對(duì)其HBM產(chǎn)品如此有信心？

綜合行業(yè)各方消息顯示，美光正在世界各地的加碼擴(kuò)產(chǎn)。據(jù)悉，美光在中國(guó)臺(tái)灣的工廠將于2025年開(kāi)始生產(chǎn)1γ DRAM，其日本廣島工廠將于2026年開(kāi)始生產(chǎn)。近期，美光在其2024財(cái)年三季度的財(cái)務(wù)報(bào)告中也進(jìn)一步明確了美國(guó)愛(ài)達(dá)荷州和紐約兩地工廠的運(yùn)營(yíng)時(shí)間表，愛(ài)達(dá)荷州的新工廠將在2026年9月至2027年9月之間投產(chǎn)，紐約工廠的投產(chǎn)時(shí)間則預(yù)計(jì)在2028年或之后。

美光將根據(jù)未來(lái)DRAM內(nèi)存的需求情況，合理安排這些工廠的設(shè)備投資和生產(chǎn)計(jì)劃。據(jù)悉，這些新工廠的建設(shè)是為了滿足近10年內(nèi)的供應(yīng)增長(zhǎng)需求。并且，據(jù)行業(yè)最新消息顯示，美光還正在考慮在馬來(lái)西亞增設(shè)生產(chǎn)基地，以及期望在中國(guó)臺(tái)灣收購(gòu)相關(guān)的面板廠以進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)。

美光科技預(yù)計(jì)2024財(cái)年的財(cái)務(wù)支出約為80億美元，晶圓廠設(shè)備（WFE）的年度支出有所減少。而在2024財(cái)年最后一個(gè)季度，公司預(yù)計(jì)將投入約30億美元用于工廠建設(shè)、新晶圓廠設(shè)備購(gòu)置以及多項(xiàng)擴(kuò)展和升級(jí)項(xiàng)目。對(duì)于2025財(cái)年，美光計(jì)劃大幅增加財(cái)務(wù)支出，預(yù)計(jì)支出將占到收入的30%以上。具體看，美光表示2025財(cái)年的季度財(cái)務(wù)支出將超過(guò)2024財(cái)年第四季度的30億美元，這意味著2025財(cái)年的總支出將超過(guò)120億美元。據(jù)悉，在2025財(cái)年的財(cái)務(wù)支出中，美光科技除了有超過(guò)20億美元用于在愛(ài)達(dá)荷州和紐約建設(shè)新的工廠外，還將大幅增加高帶寬內(nèi)存（HBM）的組裝和測(cè)試以及制造、后端設(shè)施建設(shè)的財(cái)務(wù)支出。

先進(jìn)的技術(shù)是未來(lái)最強(qiáng)的競(jìng)爭(zhēng)力，美光正著手開(kāi)發(fā)HBM4，會(huì)考慮采用包括混合鍵合(Hybrid Bonding) 在內(nèi)等相關(guān)技術(shù)。美光預(yù)計(jì)將在2026年推出12和16層堆疊的HBM4，帶寬超過(guò)1.5TB/s；到2027~2028年，還將發(fā)布12層和16層堆疊的HBM4E，帶寬可達(dá)2TB/s以上。

此外，近期美光宣布推出基于1β (1-beta) 制程的GDDR7圖形存儲(chǔ)芯片，技術(shù)從PAM4轉(zhuǎn)換成PAM3，打造最高速度達(dá)每秒32Gb，同時(shí)其系統(tǒng)頻寬提升至1.5 TB/s以上，頻寬相較前一代GDDR6高出60%，并擁有四個(gè)獨(dú)立通道。據(jù)悉，這將進(jìn)一步將美光GDDR7應(yīng)用范圍擴(kuò)至AI、游戲和高效能運(yùn)算工作負(fù)載。

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鎧俠北上工廠K2將于明年Q3投產(chǎn)

鎧俠近期發(fā)布了2024財(cái)年二季度財(cái)報(bào)，得益于供需平衡改善帶動(dòng)NAND Flash平均售價(jià)上升、NAND Flash出貨量增加（尤其是eSSD），鎧俠二季度營(yíng)收及營(yíng)業(yè)利潤(rùn)均達(dá)歷史新高。

11月5日，鎧俠宣布其位于巖手縣北上市的北上工廠 Fab2 (K2) 已全面竣工，為了預(yù)備K2投產(chǎn)，自2024年11月11日起，行政、技術(shù)部門(mén)將陸續(xù)搬進(jìn)臨近K2的新行政大樓，預(yù)估K2將在2025年秋季投產(chǎn)。據(jù)悉，K2工廠將致力于研發(fā)BiCS 9產(chǎn)品。另外，鎧俠目前較為先進(jìn)的第8代NAND Flash “BiCS8”產(chǎn)品前景較優(yōu)。鎧俠表示，受惠于AI熱潮，預(yù)估NAND需求將在2025年以后穩(wěn)健成長(zhǎng)、像BiCS8這樣高性能的存儲(chǔ)需求將增加，未來(lái)五年閃存需求將增長(zhǎng)約2.7倍。

而關(guān)于是否進(jìn)一步擴(kuò)增產(chǎn)能，鎧俠透露，會(huì)在調(diào)查所有可能性和市場(chǎng)需求后再擴(kuò)大產(chǎn)能規(guī)模。目前已在北上工廠南測(cè)備有空地，會(huì)在適當(dāng)?shù)臅r(shí)間點(diǎn)進(jìn)行投資。

而在新技術(shù)和新產(chǎn)品方面，鎧俠已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模量產(chǎn)采用QLC技術(shù)的UFS4.0嵌入式產(chǎn)品，并推出了符合PCIe® 5.0標(biāo)準(zhǔn)的NVMe EDSFF（企業(yè)級(jí)和數(shù)據(jù)中心標(biāo)準(zhǔn)形態(tài)）E1.S SSD。近期，鎧俠還宣布，將在未來(lái)3年內(nèi)，投資360億日元研發(fā)基于CXL（Compute Express Link）的內(nèi)存，目標(biāo)在2030年代前半段實(shí)現(xiàn)商業(yè)化。

IPO方面，鎧俠也有了最新動(dòng)態(tài)，鎧俠近期向金融廳提交了一份證券登記聲明，期望在2024年12月-2025年6月期間IPO上市，目標(biāo)市值超1萬(wàn)億日元，將首度活用日本2023年10月新導(dǎo)入的上市申請(qǐng)方式以縮短上市所需的手續(xù)時(shí)間，且視市況動(dòng)向仍將持續(xù)摸索最早于今年內(nèi)（2024年12月內(nèi)）上市的可能性。

封面圖片來(lái)源：拍信網(wǎng)