AI人工智能浪潮趨勢推動下，高性能存儲產(chǎn)品HBM市場需求也水漲船高。以SK海力士、三星和美光為代表的存儲廠商之間的競爭賽道也轉(zhuǎn)移至HBM。尤其是在英偉達(dá)驅(qū)動下，目前，三大存儲器廠商都希望把握NVIDIA HBM3e商機(jī)。

在NVIDIA今年的產(chǎn)品規(guī)劃中，H200是首款采用HBM3e 8Hi的GPU，后續(xù)的Blackwell系列芯片也將全面升級至HBM3e。目前，美光科技和SK海力士已于2024年第一季底分別完成HBM3e驗(yàn)證，并于第二季起批量出貨。其中，美光產(chǎn)品主要用于H200，SK海力士則同時供應(yīng)H200和B100系列。至于三星，盡管其推出HBM3e時間較晚，但也已于近期完成驗(yàn)證，開始正式出貨HBM3e 8Hi、主要用于H200，此外，其Blackwell系列的驗(yàn)證工作也在穩(wěn)步推進(jìn)。

而近日，SK海力士和三星兩家存儲器廠商也披露了其HBM最新研發(fā)進(jìn)展。

01SK海力士：月底量產(chǎn)12層HBM3E

近日，SK海力士社長金柱善（Kim Ju Seon）分享了SK海力士現(xiàn)有HBM產(chǎn)品規(guī)劃。Kim Ju Seon預(yù)計，SK海力士將于9月開始量產(chǎn)其12層第五代高帶寬存儲器HBM3E產(chǎn)品，時間點(diǎn)早于原先規(guī)劃的第四季度。

SK海力士是最早生產(chǎn)8層HBM3E的供應(yīng)商，于今年年初開始向英偉達(dá)供貨，12層HBM3E產(chǎn)品則將在本月底開始量產(chǎn)。Kim Joo-sun表示，這一進(jìn)展有望顯著提高數(shù)據(jù)傳輸速度和效率，對于HPC（高性能計算）和人工智能（AI）應(yīng)用至關(guān)重要。

據(jù)臺灣地區(qū)媒體報道稱，SK海力士還計劃將于2025年下半年推出12層HBM4，2026年推出16層HBM4。至于16層HBM4的封裝技術(shù)，SK海力士將決定采用原本的MR-MUF，或改用Hybrid Bonding（混合鍵合）以降低厚度。

另外，SK海力士HBM4將會開始采用臺積電的先進(jìn)邏輯（Logic）制程，以超細(xì)微制程基礎(chǔ)裸片（base die）增加更多的功能。同時SK海力士也將在性能和功效等方面，滿足客戶的客制化（Customized）需求。

SK海力士最新財報顯示，今年二季度HBM需求表現(xiàn)尤為突出，其銷售額環(huán)比增長超過80%，同比增長超過250%。與此同時，SK海力士HBM3E銷售額在Q2開始顯著增長，預(yù)計HBM3E bit出貨量將在三季度超過HBM3，并在2024年將占HBM總銷量的50%以上，隨著12層堆疊HBM3E于本月逐步量產(chǎn)，SK海力士HBM出貨將更加強(qiáng)勁。

02三星：HBM4基礎(chǔ)裸晶已交晶圓廠負(fù)責(zé)

9月4日，三星存儲器事業(yè)部負(fù)責(zé)人Jung-Bae Lee表示，公司HBM4基礎(chǔ)裸晶已交由晶圓廠負(fù)責(zé)。

目前AI時代遇三大挑戰(zhàn)，即能耗、因存儲器頻寬限制帶來的AI效能限制，以及儲存容量限制。為了克服上述挑戰(zhàn)，Jung-Bae Lee指出，在HBM4以前，三星是采用自家存儲器負(fù)責(zé)制造，但在下一代高頻寬存儲器HBM4，基礎(chǔ)裸晶（Base Die）已交由晶圓代工廠商負(fù)責(zé)，而三星則負(fù)責(zé)Core Die。

Jung-Bae Lee指出，三星在存儲器領(lǐng)域的合作不限于自家晶圓代工業(yè)務(wù)，會積極與其他公司合作，持續(xù)推動存儲、軟件產(chǎn)業(yè)的成長。此外，其還表示，進(jìn)入HBM4時代，存儲器廠商、晶圓廠與客戶間的合作日趨重要，三者之間的關(guān)系也將越來越緊密，而三星除準(zhǔn)備好解決方案，也致力維持彈性。

封面圖片來源：拍信網(wǎng)